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第３６卷第６期硅酸盐学报Ｖ０１．３６，Ｎｏ．６

ＴＨＥＪｕｎｅ，２００８

ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＣＨＩＮＥＳＥＳＯＣＩＥＴＹ

２００８年６月ＣＥＲＡＭＩＣ

纳米碳化硅、氮化硅和掺杂氮碳化硅粉体的制备及其微波介电特性

赵东林１，罗发２，周万城２

（１．北京化工大学，化工资源有效利用国家重点实验室，北京１０００２９，２．西北工业大学，凝固技术国家重点实验室，

西安７１００７２）

的微波介电特性，纳米ＳｉＣ（Ｎ）粉体介电常数的实部（由和虚部（，＞在８．２～１２．４ＧＨｚ随频率增大而减小，介电损耗（ｔｅ，乒ｇ＇／ｅ３较高，是较为

收材料，而纳米ＳｉＣ和Ｓｉ３Ｎ４粉体的ｔ９６基本为０．纳米ＳｉＣ（Ｎ）粉体中Ｓ，Ｃ，Ｎ原子周围的化学环境比纯ＳｉＣ和Ｓｉ３Ｎ４相的混

导致其性能变化的主要原因．纳米ｓｉｃｆＮ）粉体中的ＳｉＣ微晶固溶了大量的Ｎ原子，在纳米ＳｉＣ（Ｎ）粉体中形成大量的带电缺陷，在电磁场作用

极化耗散电流，极化弛豫是吸收电磁波的主要原因。

关键词：纳米碳化硅和氮化硅：纳米掺杂氮碳化硅；激光诱导气相反应；微波介电特性

中图分类号：ＴＱｌ７４．７５＋．８．１２文献标识码：Ａ文章编号：０４５铛“８（２００８）０６一０７８３—０５

ＡＮＮＩＴＲＯＧＥＮＤＤＯＰＥＤ

ＮＩＴＲＩＤＥ

ＰＲＥＰ舢ＲＡＴＩｏＮＯＦＣＡＲＢＩＤＥ．ＳＩＬＩＣＯＮ

ＮＡＮＯＳＩＬＩＣＯＮ

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ＳＩＬＩＣＯＮＰＯＷＤＥＲＳＭＩＣＲＯＷＡＶＥ

ＺＨＡＯＦａ２，ＺＨＯＵ

Ｄｏｎｇｌｉｎｌ，ｒｕｏＷａｎｃｈｅｎ９２

ＲｅｓｏｕｒｃｅｏｆＣｈｅｍｉｃａｌ

ＫｅｙｏｆＣｈｅｍｉｃａｌ１０００２９；

（１．ＳｔａｔｅＬａｂｏｒａｔｏｒｙＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ

Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＢｅｉｊｉｎｇＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｂｅｉｊｉｎｇ

２．ＳｔａｔｅｏｆＳｏｌｉｄｉｆｉｃａｔｉｏｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，

Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ，Ｎｏｒｔｈｗｅｓｔｅｒｎ

ＬａｂｏｒａｔｏｒｙＰｏｌｙｔｅｃｈｎｉｃａｌ

Ｋｅｙ

Ｘｉ’ａｎ

７１００７２．Ｃｈｉｎａ）

ｔｏｒａｄａｒａｎｄｗｅｒｅ

Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｉｎ

ｏｒｄｅｒｔｈｅ

ｐｒｅｐａｒｅ

ｈｉｇｈ－ｔｅｍｐｅｒａｔａｂｓｕｒｏｅｒ