CN108511467A 一种近红外宽光谱的cmos单光子雪崩二极管探测器及其制作方法 （南京邮电大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN108511467A

(43)申请公布日2018.09.07

(21)申请号201810182345.1

(22)申请日2018.03.06

(71)申请人南京邮电大学

地址210023江苏省南京市亚东新城区文

苑路9号

申请人南京邮电大学南通研究院有限公司

(72)发明人赵庭晨徐跃袁丰

(74)专利代理机构南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249

代理人唐绍焜

(51)Int.CI.

HO1L27/144(2006.01)

HO1L31/0352(2006.01)

H01L31/107(2006.01)

HO1L31/18(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图2页

(54)发明名称

一种近红外宽光谱的CMOS单光子雪崩二极管探测器及其制作方法

(57)摘要

CN108511467A本发明公开了一种近红外宽光谱的CMOS单光子雪崩二极管探测器，包括同轴设置的呈圆柱形的P型衬底、P外延区、深N阱区、中心N阱区、N+区以及圆环形的第一P阱区、侧N阱区、第二P阱区和P+区。本发明提出的SPAD探测器在深N阱与P-外延层之间形成深的主雪崩区，可探测近红外短波光子；同时深N阱内部有两个浅的次雪崩环区，可探测短波光子，从而实现从蓝光到近红外短波的宽光谱光子探测。本发明可在标准CMOS工艺制作，具有集成度高、功耗低、抗干扰能力强等优

CN108511467A

CN108511467A权利要求书1/2页

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1.一种近红外宽光谱的CMOS单光子雪崩二极管探测器，其特征在于：包括同轴设置的呈圆柱形的P型衬底、P外延区、深N阱区、中心N阱区、N+区以及圆环形的第一P阱区、侧N阱区、第二P阱区和P+区；

所述P-外延层区设置在所述P型衬底的上方，在所述P型衬底与所述P-外延层区之间的中间设置有P+埋层区；所述深N阱区设置在所述P-外延层的中间位置位于所述P+埋层区上端，所述深N阱区与所述P+埋层区之间设有间隙；所述中心N阱区设置在所述深N阱区上部中间位置，所述第一P阱区设置在所述中心N阱区外侧，所述侧N阱区设置在所述第一P阱区外侧，所述侧N阱区的外径小于所述深N阱区的直径，所述侧N阱区、第一P阱区和中心N阱区的上下端面平齐；在所述深N阱区表面设置有N+区，所述N+区的下端面与所述侧N阱区、第一P阱区、中心N阱区均接触，所述N+区的直径大于所述深N阱区的直径；在所述P-外延层上部位于所述深N阱区外侧设置有第二P阱区，在所述第二P阱区表面设置有P+区，所述第二P阱区的上端面与所述N阱区的上端面平齐，所述P+区的上端面与所述N+区的上端面平齐；在所述P+区内外侧上均设置有浅沟槽隔离区，所述浅沟槽隔离区的上端面与所述P+区的上端面平齐，所述浅沟槽隔离区的下端面深于所述P+区的下端面；在所述P+区上端引出阳极，在所述P阱区的上端引出阴极。

2.根据权利要求1所述的CMOS单光子雪崩二极管探测器，其特征在于：所述P+埋层区的形状为圆柱形或椭球形。

3.根据权利要求1所述的CMOS单光子雪崩二极管探测器，其特征在于：所述CMOS单光子雪崩二极管探测器长26μm,深11μm;其中P+埋层区长9μm,深N阱区长10μm,中心N阱区长2μm,第一P阱区长3μm,侧N阱区长1μm,N+区长11μm,第二P阱区长2μm,P+区长1um,P+区左右侧的浅沟槽隔离区长分别为0.5μm、1.5μm,阳极长0.5μm,阴极长0.5μm;所述长度为所述探测器横截面的横向长度。

4.根据权利要求3所述的CMOS单光子雪崩二极管探测器，其特征在于：所述第二P阱区与所述深N阱区之间的距离为3-5μm。

5.一种如权利要求1所述的CMOS单光子雪崩二极管探测器的制作方法，其特征在于：包括步骤：

1)、在硅晶圆上离子注入P型杂质形成P型衬底；

2)、在P型衬底表面涂光刻胶，刻蚀掉P+埋层区所在位置的光刻胶后离子注入P型杂质形成P+埋层区，并去除表面光刻胶；

3)、向上外延P型杂质形成P-外延层；

4)、在所述P-外延层表面涂上光刻胶并去除P+区两侧位置上的光刻胶，刻蚀掉该位置的P-外延层并用SiO?填充分别形成浅沟槽隔离区，去除所有光刻胶；

5)、在所述P-外延层表面涂上光刻胶并刻蚀掉