第五章-FET三极管及其放大管考试试题.pdfVIP

第五章FET三极管及其放大管

一、判断题

结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应管的输

入电阻很大。（）。

√

场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。（）

×

开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。（）

×

DSSGS

I表示工作于饱和区的增强型场效应管在u=0时的漏极电流。（）

×

若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（）前往

×

互补输出级应采用共集或共漏接法。()

√

word版本.

开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。

()

×

DSSGS

I表示工作于饱和区的增强型场效应管在u=0时的漏极电流。()

×

结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN结反偏，以保证场效应管的输

入电阻很大。()

√

与三极管放大电路相比，场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温度稳

定性好等优点。（）

√

场效应管放大电路的偏置电路可以采用自给偏压电路。（）

×

二、填空题

场效应管放大电路中，共＿＿极电路具有电压放大能力，输出电压与输入电压反

相；共＿＿极电路输出电阻较小，输出电压与输入电压同相。

源，栅

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场效应管是利用＿＿电压来控制＿＿电流大小的半导体器件。

GSD

V（栅源电压），I（漏极）

场效应管是＿＿＿＿控制半导体器件，参与导电的载流子有＿＿＿＿种。

电压，1

gs

当u=0时，漏源间存在导电沟道的称为＿＿＿＿型场效应管；漏源间不存在导电沟道

的称为＿＿＿＿型场效应管。

耗尽型，增强型

场效应管具有输入电阻很＿＿＿＿、抗干扰能力＿＿＿＿等特点。

大，强

输出电压与输入电压反相的单管半导体三极管放大电路是＿＿＿＿。

共射（共源）

共源极放大电路的性能与半导体三极管的＿＿＿＿电路相似。

共射

共漏极放大电路的性能与半导体三极管的＿＿＿＿电路相似。

共集

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图所示场效应管的转移特性曲线，由图可知，该管的类型是＿＿＿＿沟道＿＿＿＿

MOS管。

耗尽型,N沟道

下图中的FET管处于＿＿＿＿工作状态。

截止

下图中的FET管工作于＿＿＿＿状态。

可变电阻区

下图中的FET管工作于＿＿＿＿状态。

word版本.

饱和

三、单项选择题

UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有。

A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NEMOS

B

UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。

A、PEMOSB、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NEMOS

C

UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。

A、PEMOSB、增强型MOS管C、JFETD、NEMOS

C

场效应管用于放大时，应工作在（）区。

A、可变电阻B、夹断C、击穿D、恒流（饱和）

D

已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效