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掺硼金刚石膜的制备及其应用.pdf

第48卷第2期真空VACUUMVol.48,No.2

2011年3月Mar.2011

掺硼金刚石膜的制备及其应用

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褚向前，朱武，左敦稳

(1.合肥工业大学真空科学技术与装备工程研究所，安徽合肥230009；2.南京航空航天大学机电学院，江苏南京210016)

摘要：金刚石虽然具有极为优异的性能，如具有很大的能隙，高的电子迁移率、空穴迁移率和高热导

率，以及负的电子亲和势，但要将它用于半导体材料时还不能直接使用，必须要先进行金刚石的P型和n

型掺杂。因此，研究金刚石的P型和n型掺杂具有很重要的现实意义。在金刚石薄膜中掺杂时，一般是掺

入硼原子以实现P型掺杂，掺入氮原子或磷原子以实现n型掺杂。然而，由于N和P在金刚石中的施主

能级太深，现在n型掺杂金刚石薄膜制备尚不成功，这是金刚石实用化的障碍。本文介绍了金刚石膜掺硼

目的、方法和制备，总结了掺硼金刚石膜在微电子、电化学、光电子、工具等领域应用状况以及存在问题。

关键词：掺硼金刚石膜；制备；应用

中图分类号：TB43文献标识码：B文章编号：1002-0322（2010）02-0015-04

Preparationandapplicationsofboron-dopeddiamondfilms

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CHUXiang-qian,ZHUWu,ZUODun-wen

（1.InstituteofVacuumSci-techEquipment,HefeiUniversityofTechnology，Hefei230009，China；

2.CollegeofMechanicalandElectricalEngineering,NanjingUniversityofAeronauticsandAstronautics，

NanJing210016，China）

Althoughdiamondhasaveryexcellentperformance,suchaslargeenergygap,highelectronmobility,highhole

Abstract：

mobility,highthermalconductivity,negativeelectronaffinityandsoon,itisunabletobeapplieddirectlytosemiconductor

materialsunlessthep-typeandn-typedopinghavebothbeendoneforit.Therefore,thestudyonp-typedopingandn-

typedopingisofpracticalimportancetodiamondfilms.Generally,thep-typedopingisachievedbydopingofboronatoms,

whilethen-typedopingisachievedbydopingofnitrogenorphosphorusatoms.However,becausethedonorlevelofnitrogen