CN110164989A N型AlxGa1xAs材料体系半导体表面欧姆接触电极及其制作方法 （长春理工大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110164989A

(43)申请公布日2019.08.23

(21)申请号201910475213.2

(22)申请日2019.06.03

(71)申请人长春理工大学

地址130022吉林省长春市卫星路7089

(72)发明人王海珠何志芳范杰邹永刚马晓辉李辉

(74)专利代理机构北京市诚辉律师事务所

11430

代理人范盈

(51)Int.CI.

H01L31/0224(2006.01)

H01L21/283(2006.01)

H01L21/285(2006.01)

H01L31/18(2006.01)

权利要求书1页说明书4页附图3页

(54)发明名称

N型AlxGa1-xAs材料体系半导体表面欧姆接触电极及其制作方法

(57)摘要

CN110164989A本发明公开了一种不同Al组分的N型AlxGa1-xAs材料体系半导体表面欧姆接触电极及其制作方法，当Al组分大于等于0小于等于0.1时，可以采取金属In作为电极材料，通过快速热退火，将其粘合在AlGaAs表面，从而实现AlGaAs材料与金属电极间的欧姆接触，当Al组分大于等于0小于等于1时，均可采用磁控溅射Ni/AuGe/Ni/Au后进行合金的办法，从而实现AlGaAs与电极的欧姆接触。本发明对于N型AlxGa1-xAs材料，根据不同的A1组分选取不同镀电极办法实现欧姆接触，降低工艺难度，减少制作成本，欧姆接触

CN110164989A

Con.34(b)

Con.34(b)

(a)0.05mA

0.00V

Con.34(d)

Con.34(d)

(c)0.01mA

0.00V

CN110164989A权利要求书1/1页

2

1.一种N型AlxGa1-xAs材料体系半导体表面欧姆接触电极，其特征在于，当A1的组分0≤x≤0.1时，AlxGa1-xAs上为In层；

当A1的组分0≤x≤1时，AlxGa1-xAs上依次为第一Ni层、AuGe层、第二Ni层和Au层。

2.根据权利要求1所述的N型AlxGa1-xAs材料体系半导体表面欧姆接触电极，其特征在于，当Al的组分0≤x≤0.1时，所述In层的厚度为0.8～1.2mm;

当A1的组分0≤x≤1时，所述第一Ni层的厚度为4～6nm、所述AuGe层的厚度为95~105nm、所述第二Ni层的厚度为43～47nm、所述Au层的厚度为285～315nm。

3.根据权利要求2所述的N型AlxGa1-xAs材料体系半导体表面欧姆接触电极，其特征在于，当Al的组分0≤x≤0.1时，所述In层的厚度为1mm;

当A1的组分0≤x≤1时，所述第一Ni层的厚度为5nm、所述AuGe层的厚度为100nm、所述第二Ni层的厚度为45nm、所述Au层的厚度为300nm。

4.一种N型AlxGa1-xAs材料体系半导体表面欧姆接触电极的制作方法，其特征在于，方法包括以下步骤：

当A1的组分0≤x≤0.1时，采用将In粒粘在AlxGa1-xAs样品表面后合金形成欧姆接触电极；

当Al的组分0≤x≤1时，采用磁控溅射法在AlxGa1-xAs样品表面依次制备第一Ni层、AuGe层、第二Ni层和Au层后进行合金形成欧姆接触电极。

5.根据权利要求4所述的N型AlxGa1-xAs材料体系半导体表面欧姆接触电极的制作方法，其特征在于，当Al的组分0≤x≤0.1时，所述合金的温度为240～260℃,所述合金的时间为360～420s;

当Al的组分0≤x≤1时，所述合金的温度为410～430℃,所述合金的时间为290～310s。

6.根据权利要求5所述的N型AlxGa1-xAs材料体系半导体表面欧姆接触电极的制作方法，其特征在于，当Al的组分0≤x≤0.1时，所述合金的温度为250℃,所述合金的时间为420s;

当A1的组分0≤x≤1时，所述合金的温度为420℃,所述合金的时间为300s。

7.根据权利要求4所述的N型AlxGa1-xAs材料体系半导体表面欧姆接触电极的制作方法，其特征在于，当Al的组分0≤x≤0.1时，所述合金在氮气气氛中