CN110161761A 液晶显示面板及其制作方法以及显示设备 （香港科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN110161761A

(43)申请公布日2019.08.23

(21)申请号201910388622.9

(22)申请日2019.05.10

(71)申请人香港科技大学

地址中国香港九龙清水湾道香港科技大学

(72)发明人陆磊

(74)专利代理机构广州嘉权专利商标事务所有限公司44205

代理人谭英强

(51)Int.CI.

GO2F1/1362(2006.01)

GO2F1/1333(2006.01)

H01L27/12(2006.01)

权利要求书1页说明书8页附图6页

(54)发明名称

液晶显示面板及其制作方法以及显示设备

(57)摘要

CN110161761A本发明公开了一种液晶显示面板及其制作方法以及显示设备，所述液晶显示面板包括若干个薄膜晶体管、中间绝缘层、光电材料和公共电极；所述薄膜晶体管包括有源层和像素电极，所述像素电极由薄膜晶体管的有源层的源区或者漏区的延伸部分所形成，或者所述像素电极通过源电极或者漏电极与薄膜晶体管的有源层的源区或者漏区连接；所述中间绝缘层、光电材料和公共电极依次堆叠在所述像素电极之上。本发明通过在中间绝缘层下制作像素电极或者由源区或者漏区的延伸部分形成像素电极，无需在中间绝缘层中进行打孔，因此，能够消除深孔对液晶材料的不良影响，同时可以节省打孔的工艺成

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CN110161761A权利要求书1/1页

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1.一种液晶显示面板，其特征在于：包括若干个薄膜晶体管、中间绝缘层、光电材料和公共电极；

所述薄膜晶体管包括有源层和像素电极，所述像素电极由薄膜晶体管的有源层的源区或者漏区的延伸部分所形成，或者所述像素电极通过源电极或者漏电极与薄膜晶体管的有源层的源区或者漏区连接；

所述中间绝缘层、光电材料和公共电极依次堆叠在所述像素电极之上。

2.根据权利要求1所述的一种液晶显示面板，其特征在于：所述中间绝缘层包括氮化硅、氮氧化硅、氧化铝和/或氧化铪。

3.根据权利要求1所述的一种液晶显示面板，其特征在于：所述中间绝缘层的厚度为200至900纳米。

4.根据权利要求1所述的一种液晶显示面板，其特征在于：所述有源层为透光材料。

5.根据权利要求1所述的一种液晶显示面板，其特征在于：所述有源层的源区、漏区以及扩展电极被不透气叠层覆盖，所述有源层包括沟道区，所述沟道区被透气叠层覆盖。

6.根据权利要求5所述的一种液晶显示面板，其特征在于：

所述透气叠层包括若干个透气绝缘层和若干个透气导体层；

所述不透气叠层包括至少一个不透气绝缘层或者至少一个不透气导体层；

所述透气绝缘层包括氧化硅和/或氮氧化硅；

其中，氮氧化硅作为透气绝缘层时其氮化硅含量小于20%;所述透气绝缘层的厚度在100～500纳米；

所述不透气绝缘层包括氮化硅、氮氧化硅、氧化铝和/或氧化铪；

其中，氮氧化硅作为不透气绝缘层时其氮化硅含量大于20%;所述不透气绝缘层的厚度范围为100～500纳米。

7.根据权利要求1所述的一种液晶显示面板，其特征在于：所述有源层的源区、漏区以及由源区或者漏区的延伸部分所形成的像素电极在退火工艺中形成；

所述退火工艺为：在氧化气氛下以250～400摄氏度退火30分钟至2小时。

8.一种显示设备，其特征在于：包括至少一个处理器和至少一个如权利要求1-7任一项所述的液晶显示面板，所述处理器用于控制所述液晶显示面板显示。

9.一种液晶显示面板的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

在衬底上直接或者间接地沉积有源层；

在有源层的上方分别沉积透气叠层和不透气叠层，使得有源层被分为一个被透气叠层覆盖的区域，以及两个被不透气叠层覆盖的区域；其中，透气叠层和不透气叠层包括中间绝缘层；

在氧化气氛下进行退火，使得有源层被透气叠层覆盖的区域形成沟道区、有源层被不透气叠层覆盖的区域分别形成源区和漏区，其中，源区或者漏区的延伸部分形成像素电极；

在中间绝缘层上制作光电材料以及公共电极；

其中，退火温度为100～600摄氏度，退火时间为10秒至10小时。

10.根据权利要求9所述的一种液晶显示面板的制作方法，其特征在于：所述退火时间为30分钟到2小时，退火温度为250℃到400℃,使得源区和漏区的电阻率降至0.1