新型二维材料In2SeO2的第一性原理研究及其场效应管模拟.pdfVIP

摘要

随着半导体技术持续向纳米尺度迈进，传统硅基场效应管面临着短沟道效应、

量子隧穿效应等诸多挑战，严重制约了电子器件性能的提升。二维半导体材料因

其独特的物理性质，成为突破这些瓶颈的潜在关键材料，引发了广泛研究。在此

背景下，本研究聚焦于新型二维半导体InSeO，提出单层和双层（AA和AB）

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InSeO结构，并运用第一性原理计算对其进行深入研究。

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研究发现，单层和双层InSeO均具备良好的稳定性。采用HSE06方法计算

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能带结构时，单层和双层ABInSeO呈现出中等的直接带隙，其丰富的可见光吸

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收和弱激子结合特性，保障了分离载流子的有效产生。单层（~3000cm²⋅V⁻¹⋅s⁻¹）

和双层AB（~2600cm²⋅V⁻¹⋅s⁻¹）的高电子迁移率，彰显了其在电子领域的应用潜

力，且载流子迁移率的显著差异以及长寿命载流子，进一步证实了电子和空穴的

高效分离。

为进一步探究单层InSeO在器件上的性能表现，本文利用Quantumatk仿真

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软件，构建1-5纳米单层InSeOn型双栅极场效应管器件，研究栅长对器件性能

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的影响。结果表明，1-5纳米单层InSeO器件亚阈值摆幅范围为1039-209mV/dec，

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5纳米下的开态电流为65μA/μm，开关比为650，延迟时间和功率损耗分别为4.6

ps和0.19fJ/μm。引入UL结构优化后，单层InSeO场效应管的栅控能力和输运

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性能大幅提升，3纳米亚阈值摆幅从376mV/dec降至252mV/dec，5纳米降至189

mV/dec；3纳米开态电流提升至14μA/μm，5纳米提升至155μA/μm；5纳米延迟

时间从4.60ps减至2.04ps。

本文提出的新型二维半导体InSeO展现出优异的光电性能，在短沟道器件中

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作为沟道材料具有良好的应用潜力。本研究为InSeO在未来光电子器件中的应用

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提供了重要的理论依据，有望推动二维半导体材料在电子领域的进一步发展与应

用。

关键词：二维材料，InSeO，第一性原理计算，场效应管，器件仿真

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万方数据

Abstract

Assemiconductortechnologycontinuestoadvancetowardthenanoscale,traditional

silicon-basedfieldeffecttubesarefacingmanychallengessuchastheshortchannel

effectandquantum