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基于第一性原理的MgZnO电子结构解析与ZnO高压相变机制探究

一、引言

1.1研究背景与意义

在材料科学领域，探索新型材料并深入理解其物理性质是推动科技进步的关键。MgZnO和ZnO作为两种重要的宽禁带半导体材料，因其独特的物理性质和广泛的应用前景，近年来受到了科研人员的高度关注。

ZnO是一种Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，具有六方纤锌矿结构，在自然界中广泛存在，如锌矿石和炉甘石等。其室温下禁带宽度约为3.37eV，激子束缚能高达60meV，这使得ZnO在光电器件应用中展现出巨大的潜力。由于其良好的化学稳定性和生物相容性，ZnO在传感器领域也备受青睐，可用于制备气体传感器