CN1452217A 晶圆型态封装及其制作方法 （裕沛科技股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请9

[51]Int.CI?

H01L21/28

H01L21/60H01L21/56

H01L21/66H01L21/78H01L23/48H01L23/52H01L23/29

[43]公开日2003年10月29日[11]公开号CN1452217A

[22]申请日2002.4.15[21]申请9

[71]申请人裕沛科技股份有限公司地址台湾省新竹县

[72]发明人杨文焜牟庆聪

[74]专利代理机构北京三友知识产权代理有限公司

代理人李强

权利要求书3页说明书7页附图6页

[54]发明名称晶圆型态封装及其制作方法

[57]摘要

本发明提供一种晶圆型态封装及其制作方法，其包含感光聚合型高分子如感光型聚亚酰胺膜(PHOTOPI)于晶圆第一表面(正面),接着形成金属垫开窗或开孔于感光聚合型高分子膜中，然后形成第一导电层于开孔中且覆盖金属垫，接着形成种子层于第一导电层及感光聚合型高分子膜之上，之后形成光阻于种子层之上用以定义电路分布图案，再成长第二导电层作为上述的电路分布图案，接着去除光阻及去除覆盖于光阻下的种子层，然后填充物质覆盖于电路分布图案上，之后，执行研磨制程研磨晶圆的第二表面(背面),执行一开孔步骤以暴露电路分布图案的部分，然后形成导电凸块。本发明可以简化先前技术，提高元件的品质性能。

知识产权出版社出版9权利要求书第1/3页

2

1.一种晶圆型态封装的制作方法，其特征在于：该方法包含：

提供一具有复数个晶粒形成于其上的晶圆，该晶圆具有作为输入输出的金

5属垫位于该晶圆的第一表面中；

涂布一感光聚合型高分子于该第一表面；

去除该感光聚合型高分子的部分形成金属垫开孔用以暴露该金属垫；

形成第一导电层于该感光聚合型高分子中且覆盖该金属垫；

形成导电的种子层于该导电层及该感光聚合型高分子之上；

10形成光阻图案于该种子层之上用以定义电路分布图案；

成长第二导电层于该光阻图案所定义的区域作为上述的电路分布图案；

去除该光阻图案；

填充物质于该电路分布图案之上；

研磨该晶圆的第二表面；

15执行一开孔步骤以暴露该电路分布图案的部分，用以定义导电凸块所形成的预定区域；

执行一锡膏印刷步骤以形成锡膏于该预定区域之上；以及

热流该锡膏以形成该导电凸块。

2.如权利要求1所述的晶圆型态封装的制作方法，其特征在于：其中在执行

20该热流步骤之后，更包含测试该晶圆。

3.如权利要求2所述的晶圆型态封装的制作方法，其特征在于：其中在执行该测试之后，更包含切割该晶圆。

4.如权利要求1所述的晶圆型态封装的制作方法，其特征在于：其中上述的感光聚合型高分子包含感光型聚亚酰胺膜层。

255.如权利要求1所述的晶圆型态封装的制作方法，其特征在于：其中上述的感光聚合型高分子包含环氧树脂。

6.如权利要求1所述的晶圆型态封装的制作方法，其特征在于：其中上述的9权利要求书第2/3页

3

金属垫开孔为利用雷射形成。

7.如权利要求1所述的晶圆型态封装的制作方法，其特征在于：其中上述的第一导电层包含合金，组成包含锌/镍/铜。

8.如权利要求1所述的晶圆型态封装的制作方法，其特征在于：其中上述的5种子层包含利用无电镀所形成的铜。

9.如权利要求1所述的晶圆型态封装的制作方法，其特征在于：其中上述的第二导电层包含铜。

10.如权利要求9所述的晶圆型态封装的制作方法，其特征在于：其中上述的铜为利用电镀方式形成。

1011.如权利要求1所述的晶圆型态封装的制作方法，其特征在于：其中上述的填充物质包含环氧树脂(epoxy)。

12.如权利要求11所述的晶圆型态封装的制作方法，其特征在于：其中包含执行一固化步骤用以固化该环氧树脂。

13.一种晶圆型态封装，其特征在于：其包含：

15