CN1426107A 将盖层设置于内金属介电层上的内连线结构及其制作方法 （矽统科技股份有限公司）.docxVIP

01140360.8权利要求书第1/2页

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1、一种将盖层设置于内金属介电层上的内连线结构，其特征是：它至少包括第一金属导线层是定义形成于半导体基底上；内金属介电层是形成于该第一金属导线层上；接触插塞是贯穿该内金属介电层与该第一金属导线层

5的顶部形成电连接；第二金属导线层是定义形成于该内金属介电层的表面上，且与该接触插塞的顶部形成电连接；盖层是设置于该内金属介电层顶部与该第二金属导线层底部之间。

2、根据权利要求1所述的将盖层设置于内金属介电层上的内连线结构，其特征是：该盖层是选自以下任一的无机材质所：SiON、SiO?、SiC、SiN或

10是其它低介电常数的无机材质。

3、根据权利要求1所述的将盖层设置于内金属介电层上的内连线结构，其特征是：该盖层是由有机材质所构成。

4、根据权利要求1所述的将盖层设置于内金属介电层上的内连线结构，其特征是：该内金属介电层的材质是为化学气相沉积制程所制作的氧化硅。

155、根据权利要求4所述的将盖层设置于内金属介电层上的内连线结构，其特征是：该内金属介电层包含有：第一氧化层是以密度电浆化学气相沉积制程形成于该第一金属导线层上；以及第二氧化层是以电浆强化式化学气相沉积制程形成于该第一氧化层上。

6、根据权利要求1所述的将盖层设置于内金属介电层上的内连线结构，其

20特征是：该内金属介电层的材质是旋涂制程所形成的低介电常数的有机材料。

7、根据权利要求1所述的将盖层设置于内金属介电层上的内连线结构，其特征是：该内金属介电层具有平坦的表面。

8、一种权利要求1所述的将盖层设置于内金属介电层上的内连线结构的制作方法，其特征是：它至少包括有下列步骤：

25(1)提供一半导体基底，其包含有第一金属导线层及内金属介电层是覆

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号8

[51]Int.CI

H01L23/535H01L21/768

[43]公开日2003年6月25日[11]公开号CN1426107A

[22]申请日2001.12.11[21]申请8

[71]申请人矽统科技股份有限公司地址台湾省新竹科学园区

[72]发明人徐震球李世达蔡政翰

[74]专利代理机构司

代理人

北京三友知识产权代理有限公

刘朝华

权利要求书2页说明书6页附图6页

[54]发明名称将盖层设置于内金属介电层上的内连线结构及其制作方法

[57]摘要

一种将盖层设置于内金属介电层上的内连线结构及其制造方法，它至少包括第一金属导线层是定义形成于半导体基底上；内金属介电层是形成于第一金属导线层上；接触插塞是贯穿内金属介电层与第一金属导线层的顶部形成电连接；第二金属导线层是定义形成于内金属介电层的表面上，且与接触插塞的顶部形成电连接；盖层是设置于内金属介电层顶部与第二金属导线层底部之间。具有降低出气效应、提高内连线结构的可靠度及优良率的功效。

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知识产权出版社出版8权利要求书第2/2页

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盖于该第一金属导线层上；

(2)将该内金属介电层的表面平坦化；

(3)于该内金属介电层的平坦表面上形成一盖层；

(4)形成一介层洞，该介层洞贯穿该内金属介电层且曝露谈第一金属

5导线层的顶部；

(5)于该介层洞内填满一接触插塞；

(6)于该接触插塞顶部形成第二金属导线层；

(7)盖层是形成于该内金属介电层顶部与该第二金属导线层底部之间。

9、根据权利要求8所述的将盖层设置于内金属介电层上的内连线结构的10制作方法，其特征是：该盖层是选自以下任一的无机材质所：SiON、Si0?、

SiC、SiN或是其它由化学气相沉积制程所制作的低介电常数的无机材质。

10、根据权利要求8所述的将盖层设置于内金属介电层上的内连线结构的制作方法，其特征是：该盖层是由旋涂制程所制作的有机材质所构成。

11、根据权利要求8所述的将盖层设置于内金属介电层上的内连线结构

15的制作方法，其特征是：该内金属介电层的材质