CN1477220A Lsic用引线框架铜带及其制作工艺方法 （�����ι�˾）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请5

[51]Int.ClI?

C22C9/06 C22C1/02C22F1/00B21H8/00H01L23/495

[43]公开日2004年2月25日[11]公开号CN1477220A

[22]申请日2003.7.28[21]申请5

[71]申请人洛阳铜加工集团有限责任公司

地址471039河南省洛阳市建设路50号洛阳铜加工集团公司总师办

共同申请人河南科技大学

[72]发明人钟卫佳刘平康布熙王世民董企铭李鑫成田保红赵冬梅黄金亮程万林李红黄国兴

[74]专利代理机构洛阳市凯旋专利事务所代理人陆君常桂凤

权利要求书1页说明书3页附图1页

[54]发明名称LSIC用引线框架铜带及其制作工艺方法

[57]摘要

一种大规模集成电路用引线框架铜带，以铜材料为基料，加入少量多种元素，在保证一定导电率的情况下，提高合金强度和综合性能指标，利用固溶强化和析出强化原理，达到高强度、高导电率的合金引线框架铜带材料；其特征在于：所述的引线框架铜带具体材料组份为，按照重量比：铜材料为96.1%-98.85%,镍为1.0%-3.5%,硅为0.1%

-1.0%,混合稀土原料做添加剂：0.05%-0.4%,以及不可避免的0.15%的杂质，首先浇注成锭坯，经高精度轧制，反复进行500℃4小时时效，再经精密分剪-成品卷取而成。

按配料比例称重配料

按配料比例称重配料

非真空熔铸

热轧滓水

高精轧制

反复分级时效

拉弯矫直

精密分剪

成品卷取

4

4724-8001NSS1

知识产权出版社出版5权利要求书第1/1页

2

1、一种大规模集成电路用引线框架铜带，以铜材料为基料，加入少量多种元素，在保证一定导电性能的前提下，提高合金强度和综合性能指标，利用固溶强化和析出强化原理，达到高强度、高导电率的合金引线框架铜带材料；其特征在于：所述的引线框架铜带具体材料组份为，按照重量比：铜材料为96.1%-98.85%,镍为1.0%-3.5%,硅为0.1%—1.0%,混合稀土材料做添加剂0.05%—0.4%,以及不可避免+0.2%的杂质，采用非真空熔铸一热轧淬水一高精轧制一反复分级时效一拉弯矫直一精密分剪一成品卷取而成；其各性能指标为：导电率59.5%IASC,合金强度可达546-750Mpa,延伸率7%,维氏硬度HV171-260。

2、实施如权利要求1所述的大规模集成电路用引线框架铜带的制作工艺方法，其特征在于：当制作一种规格为0.10mm(厚度)×32mm(宽度)的铜合金引线框架铜带时，首先，将3.2%的镍，0.75%的硅，0.3%的混合稀土材料做添加剂，以及95.7%的铜，分别按比例称重，后投入感应炉内，在大气中将炉温升至1300—1350℃,待金属完全熔化后，经炉前化学分析合格后，铸造成锭坯。

3、实施如权利要求1所述的大规模集成电路用引线框架铜带的制作工艺方法，其特征在于：所述制作工艺流程中的热轧淬水，采用的是900一950℃热轧处理，并在线淬水进行固溶处理。

4、实施如权利要求1所述的大规模集成电路用引线框架铜带的制作工艺方法，其特征在于：所述的制作工艺流程中的高精轧制处理，采用高精轧制一分级时效反复进行；高精轧制后进行500℃4小时时效，再经高精轧制，再次500℃4小时时效，充分分级时效析出。5说明书第1/3页

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LSIC用引线框架铜带及其制作工艺方法

技术领域：

本发明涉及金属加工技术领域，特别是一种LSIC(大规模集成电路)用引线框架铜带及其制作工艺方法。

背景技术：

LSIC(大规模集成电路)用引线框架铜带是在IC集成电路引线框架铜带基础上，根据不同集成电路对导电率指标的不同要求，综合力学性能指标要求的不同，而研究和开发的系列铜合金引线框架铜带，国内替代进口产品的一种不断升级的产品；目前，正在向着高强度、高导电率要求方向发展，因而势必对铜基框架材料的综合适用条件提出更高要求，在