CN1513205A 高频集成电路(hfic)微系统组件及其制作方法.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号4

[51]Int.Cl?

H01L23/48

H01L23/52B81C1/00

[43]公开日2004年7月14日[11]公开号CN1513205A

[22]申请日2002.4.8[21]申请4

[30]优先权

[32]2001.4.6[33]US[31]60/282,226

[32]2001.5.4[33]US[31]60/288,697

[86]国际申请PCT/FI2002/0002972002.4.8

[87]国际公布WO2002/082537英2002.10.17

[85]进入国家阶段日期2003.10.8

[71]申请人她瑞雅·宇和娜

地址卡瑞铁8号凯波拉芬兰

[72]发明人她瑞雅·宇和娜

[74]专利代理机构上海新天专利代理有限公司代理人吕振萱

权利要求书4页说明书12页附图14页

[54]发明名称高频集成电路(HFIC)微系统组件及在邻近HF信号路径(706)处包围芯片。其制作方法

[57]摘要

这里公开高频集成电路(HFIC)微系统组件及其

制作方法。本公开的HFIC组件方法有最优化的结构，可最小化互联中的电磁能损耗。该组件优化了互联区域并消除了组件工艺所产生的大多数有害材料，因而无论对于IC组件，还是对环境都是有益的一种方法。已开发了各种具体用于HFIC封装的组件工艺，但它的多样性使它的用途从单片微波集成电路(MMIC)封装扩展到部分PCB组件，并且由于对环境有益，所以可代替其它PCB技术，特别是在高性能的应用中。HFIC组件包括一个第一基片(702,703)和一个第二基片(701)以及它们之间的一个芯片，第二基片(701)由绝缘体上有导体的片或具有高长宽比的沟槽和导体(705,706,707,708)的类似片组成。由第一和第二基片形成的公

共地线(707,708,710,710’,711,711)至少

知识产权出版社出版4权利要求书第1/4页

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1、大面积平面高频集成电路(HFIC)组件包括：

第一基片(702,703),有至少一个用于芯片(709)的凹槽，芯片有一些焊点，所述基片在露出芯片焊点的一侧有至少一个平面表面(710,711),并且所述基片至少功能侧是导电的；

绝缘体上有导体的第二基片(701),具有高长宽比的沟槽和包括平面表面(708,710)的导体(705,706,707,708),功能侧的接地线及HF和DC信号路径被安排成，当第一和第二基片各功能侧的所述平面表面(710,711’,708,710’)以对齐的关系组装时能提供与芯片焊点(612),周边接触点和公共地线区域的连接，所述信号路径和接地线都有一个导体面对着第一基片的功能侧，并且所述高长宽比的导体增加了芯片处的空气间隙(616);

第一和第二基片之间的公共地线区域(710,710),这些公共地线区域被贴到一个基片上，以形成信号路径(705,706)的屏蔽腔(615),因而由第一和第二基片形成的公共地线(707,708,710,710’,711,711)至少在邻近HF信号路径(706)处包围了芯片；

芯片的各焊点(610,612)和第二基片的各信号路径(603,611)之间的连接件。

2、按照权利要求1的HFIC组件，还包括：

作为第一基片的金属化的半导体，如硅。

3、按照权利要求1的HFIC组件，还包括：

作为第一基片的一种金属结构，如Ni,Cu,Ag,Au。

4、按照权利要求3的HFIC组件，还包括：

第一基片包含有一芯金属及比芯金属导电更好的金属化层。

5、按照权利要求1的HFIC组件，还包括：

作为第一基片的压制的导电聚合物或金属化的非导电聚合物。

6、按照权利要求1—5的任一权利要求的HFIC组件，还包括：作为第二基片的金属化的绝缘体上有半导体的片子。

7、按照权利要求1—5的任一权利要求的HFIC组件，还包括：

作为第二基片的在绝缘体上有金属(MOI),例如在绝缘体上有4权利要