CN1564331A 一种GaN基发光二极管的制作方法 （清华大学）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局[51]Int.Cl?

H01L33/00

[12]发明专利申请公开说明书

[21]申请号200410009003.8

[43]公开日2005年1月12日[11]公开号CN1564331A

[22]申请日2004.4.5

[21]申请号200410009003.8

[71]申请人清华大学

地址100084北京市北京100084-82信箱[72]发明人罗毅韩彦军申屠伟进薛松

权利要求书1页说明书6页附图3页

[54]发明名称一种GaN基发光二极管的制作方法

[57]摘要

本发明公开了属于氮化镓基发光器件制作领域的一种氮化镓基发光二极管的制作方法，其特征是通过刻蚀深槽将管芯上的发光区分割成2个以上小尺寸的发光区，以提高器件的发光效率以及器件的热稳定性和寿命。也可通过倒装焊技术将本发明所设计的管芯焊接在热导率较高的热沉材料和激光剥离技术将衬底材料剥离。本发明将外延层与衬底材料之间或外延层与热沉材料之间由于热膨胀系数失配所引入的热应变控制在极低的水平，对GaN基材料的特性不会产生不利的影响，因此，提高了器件的发光效率和器件的热稳定性和寿命。