2026年《单片机技术》机考网考纸考题库200道带答案（培优b卷）.docxVIP

2026年《单片机技术》机考网考纸考题库200道

第一部分单选题(200题)

1、51单片机的P0口作为通用I/O口使用时，必须外接上拉电阻的主要原因是？

A.内部无上拉电阻，漏极开路输出

B.内部上拉电阻阻值过大

C.防止外部电路电流过大

D.避免I/O口被静电击穿

【答案】：A

解析：本题考察I/O口特性。P0口内部结构为漏极开路输出，无内部上拉电阻，若需输出高电平，必须外接上拉电阻才能实现“准双向口”功能（否则只能输出低电平）。选项B（内部上拉电阻阻值过大）错误，P1-P3口内部已有固定上拉电阻；选项C（防止电流过大）非外接电阻的核心原因；选项D（避免静电击穿）与上拉电阻无关。因此正确答案为A。

2、MCS-51单片机中，用于设置各中断源优先级的寄存器是？

A.IE（中断允许寄存器）

B.IP（中断优先级寄存器）

C.TCON（定时器控制寄存器）

D.SCON（串行口控制寄存器）

【答案】：B

解析：本题考察中断系统优先级知识点。IP寄存器（中断优先级控制寄存器）用于设置各中断源的优先级（如外部中断0、定时器1等），优先级由IP的相应位（PX0、PT1等）决定。A选项IE仅控制中断是否允许，不涉及优先级；C选项TCON用于控制定时器/计数器启停及中断请求标志；D选项SCON用于串行口控制。因此正确答案为B。

3、MCS-51单片机内部数据存储器（RAM）的典型地址范围是？

A.00H~7FH

B.00H~FFH

C.80H~FFH

D.20H~2FH

【答案】：A

解析：本题考察MCS-51单片机存储器结构。MCS-51内部RAM分为低128字节（00H~7FH）和高128字节（80H~FFH），其中00H~7FH为普通数据缓冲区和工作寄存器区；选项B的00H~FFH是MCS-51的片内RAM（低128）+高128字节的混合范围，但非典型地址；选项C为外部RAM扩展地址范围；选项D仅为内部RAM中位寻址区（20H~2FH），非整体范围。故正确答案为A。

4、指令“MOVA,#30H”中，操作数#30H的寻址方式是？

A.立即寻址

B.直接寻址

C.寄存器寻址

D.寄存器间接寻址

【答案】：A

解析：本题考察指令系统的寻址方式。正确答案为A（立即寻址），因为指令中的“#”符号表示操作数为立即数，直接将30H送入累加器A。选项B错误，直接寻址需操作数为内部RAM地址（如MOVA,30H）；选项C错误，寄存器寻址是对寄存器内容操作（如MOVA,R0）；选项D错误，寄存器间接寻址需寄存器内容为地址（如MOVXA,@R0）。

5、单片机串口通信中，与波特率设置无关的寄存器是？

A.晶振频率

B.定时器T1的初值

C.串行口控制寄存器（SCON）

D.中断允许寄存器（IE）

【答案】：D

解析：本题考察串口通信波特率设置。正确答案为D。解析：波特率计算公式为：波特率=晶振频率/[12×(2^SMOD×(256-初值))]（T1方式2），其中晶振频率（A）、定时器T1初值（B）、SCON中的SMOD位（C选项包含SMOD设置）均影响波特率。D选项IE寄存器仅控制串口中断是否允许，与波特率计算无关。

6、51单片机片内数据存储器（RAM）的容量是多少？

A.128字节

B.256字节

C.512字节

D.1024字节

【答案】：A

解析：本题考察51单片机存储器结构。51单片机片内数据存储器（RAM）分为低128字节（地址范围0x00-0x7F）和高128字节（地址范围0x80-0xFF），其中低128字节为通用数据RAM，高128字节为特殊功能寄存器（SFR）。选项B为片内RAM+SFR的总地址空间（0x00-0xFF共256字节），但通常“数据存储器”特指低128字节；选项C、D容量远大于51单片机实际片内数据存储器容量。因此正确答案为A。

7、指令MOVA,#05H中，操作数的寻址方式是？

A.立即寻址

B.直接寻址

C.寄存器寻址

D.间接寻址

【答案】：A

解析：本题考察MCS-51指令系统的寻址方式。正确答案为A，立即寻址的操作数前加“#”前缀，直接从指令中获取操作数（如“#05H”表示操作数为5）。选项B（直接寻址）需用直接地址（如MOVA,30H）；选项C（寄存器寻址）操作数为寄存器名（如MOVA,R0）；选项D（间接寻址）通过寄存器/内存单元地址访问数据（如MOVXA,@DPTR）。

8、MCS-51单片机定时器/计数器工作在模式2时，其特点是？

A.13位自动重装初值

B.16位固定初值

C.8位自动重装初值

D.分成2个独立的8位计数器

【答案】：C

解析：本题考察MCS-51定时器/计数器