CN1996634A 碳纳米管相变存储器及其制作方法 （韩国科学技术院）.docxVIP

[51]Int.Cl.

[51]Int.Cl.

H01L45/00(2006.01)

HO1L27/24(2006.01)

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200610168098.7

[43]公开日2007年7月11日[11]公开号CN1996634A

[22]申请日2006.12.25

[21]申请号200610168098.7

[30]优先权

[32]2006.1.5[33]KR[31]10-2006-0001336

[71]申请人韩国科学技术院

地址韩国大田广域市儒城区九城洞373番地1号

[72]发明人崔梁圭金局奂

[74]专利代理机构北京慧泉知识产权代理有限公司代理人王顺荣唐爱华

权利要求书4页说明书10页附图6页

[54]发明名称

碳纳米管相变存储器及其制作方法

[57]摘要

2b本发明在于提供一种通过减少相变材料与底电极的接触区域，从而使相变存储器能够在低功率下工作并能提高综合等级的碳纳米管相变存储器及其制造方法。该相变存储器包含一电源电极，一相变材料层，一复式碳纳米管电极，及一绝缘层。该相变材料层与电源电极侧向相对；该碳纳米管电极置于电源电极及相变材料层之间；该绝缘层被制成在碳纳米管电极外部，以起到降低碳纳米管电极热量

2b

损失之作用。207

205

203

200610168098.7权利要求书第1/4页

2

1.一种碳纳米管相变存储器，其特征在于：它包含：

一为目标提供外部电流的电源电极；

一与电源电极侧向相对的相变材料层；

一复式碳纳米管电极置于电源电极和相变材料层之间；及

一绝缘层形成于碳纳米管电极外部。

2.根据权利要求1所述的一种碳纳米管相变存储器，其特征在于：该各碳纳米管电极的直径范围在1纳米至100纳米之间。

3.根据权利要求1所述的一种碳纳米管相变存储器，其特征在于：该碳纳米管电极以单墙式的被制成。

4.一种碳纳米管相变存储器的制造方法，其特征在于：它包含：

在为目标提供外部电流的电源之预定位置放置催化剂，以形成复式碳纳米管；

用催化剂作为基体在垂直方向上生长碳纳米管，以形成碳纳米管电极；

以覆盖碳纳米管电极的方式在电源电极之上沉积一绝缘层；

打磨绝缘层至其与碳纳米管电极齐平；

在平面化绝缘层之上制成一相变材料层与碳纳米管电极相连。

5根据权利要求4所述的一种碳纳米管相变存储器的制造方法，其特征在于：该在为目标提供外部电流的电源之预定位置放置的催化剂，可为含三氧化二铁、铂、钴、镍、钛、钼的组群以及他们的化合物中的一种。

6.根据权利要求4所述的一种碳纳米管相变存储器的制造方法，其特征在于：该用催化剂作为基体在垂直方向上生长碳纳米管，形成碳纳米管电极的方法包括以单墙式的方式来制成。

7.根据权利要求4所述的一种碳纳米管相变存储器的制造方法，其特征在于：该用催化剂作为基体在垂直方向上生长碳纳米管，形成碳纳米管电极的方法包括各个碳纳米管电

200610168098.7权利要求书第2/4页

3

极的直径范围在1纳米至100纳米之间。

8.一种碳纳米管相变存储器，其特征在于：它包含：

一为目标提供外部电流的电源电极；

一与电源电极侧向相对的相变材料层；

一复式碳纳米管电极，置于电源电极和相变材料层之间，碳纳米管电极的一部分延伸开并与相变材料层交叠；及

一绝缘层形成于碳纳米管电极外部。

9.根据权利要求8所述的一种碳纳米管相变存储器，其特征在于：该每一碳纳米管电极的直径范围在1纳米至100纳米之间。

10.根据权利要求8所述的一种碳纳米管相变存储器，其特征在于：该碳纳米管电极与相变材料层相重叠的长度范围在占碳纳米管总长度的1/10至8/10之间。

11.根据权利要求8所述的一种碳纳米管相变存储器，其特征在于：该碳纳米管电极以单墙式的被制成。

12.一种碳纳米管相变存储器的制造方法，其特征在于：它包含：

在为目标提供外部电流的电源之预定位置放置催化剂，以形成复式碳纳米管；

用催化剂作为基体在垂直方向上生长碳纳米管，以形成碳纳米管电