CN100361272C 多层器件及其制作方法 （森松诺尔公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利说明专利号ZL200410030085.4

[45]授权公告日2008年1月9日

[51]Int.Cl.

HO1L21/00(2006.01)

HO1L23/00(2006.01)书

[11]授权公告号CN100361272C

[22]申请日2004.3.18

[21]申请号200410030085.4

[30]优先权

[32]2003.3.18[33]EP[312

[73]专利权人森松诺尔公司地址挪威霍尔腾

[72]发明人赫里克·贾克布森

[56]参考文献

US6521477B12003.2.18US6062461A2000.5.16

US4291293A1981.9.22US4773972A1988.9.27审查员朱永全

[74]专利代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人王永刚

权利要求书4页说明书8页附图4页

[54]发明名称

多层器件及其制作方法[57]摘要

12312322和1瓶7221227一种制作多层器件的方法。该方法首先提供衬底，衬底包含用于支持电元件的支持区，然后在衬底的表面上形成导电键合层。键合层环绕用于支持元件的区域。该方法中的下一步骤是提供与键合层接触的封闭层，以使元件封闭在衬底和封闭层之间。最后一步包括将封闭层键合到键合层上以形成密封元件的密封腔。此外，提供了多层器件。器件包含衬底、至少一个位于衬底上的电元件、导电

12312322

和1瓶722

1227

200410030085.4权利要求书第1/4页

2

1.一种制作多层器件的方法，该方法包含下列步骤：

提供衬底，该衬底包含支持区，支持区用于在使用时支持电元件；在衬底表面上形成导电键合层，该键合环绕支持区；

提供与键合层接触的封闭层，以将元件封闭在衬底和封闭层之间；以及

将封闭层键合到键合层上，以形成包围元件的密封腔，

其中导电键合层完全环绕密封腔。

2.根据权利要求1的方法，其中封闭层被阳极键合到键合层上以形成密封腔。

3.根据权利要求1的方法，其中衬底包含将元件与外部接触焊垫连接起来的电导体，该电导体与用于承接键合层的表面隔绝。

4.根据权利要求3的方法，其中导体由至少一层与导电栓耦合的导电层形成。

5.根据权利要求4的方法，其中导电层被电介质层环绕。

6.根据权利要求1、2、4、5中任一项的方法，其中元件为CMOS或BiCMOS电路。

7.根据权利要求3的方法，其中元件为CMOS或BiCMOS电路。

8.根据权利要求1、2、4、5中任一项的方法，其中元件为微传感器和/或微传动器。

9.根据权利要求3的方法，其中元件为微传感器和/或微传动器。

10.根据权利要求1、2、4、5中任一项的方法，进一步包含通过在玻璃晶片上布置导电屏蔽层并将其与衬底相连从而保护器件不受阳极健合过程中产生的电场的影响的步骤。

11.根据权利要求3的方法，进一步包含通过在玻璃晶片上布置导电屏蔽层并将其与衬底相连从而保护器件不受阳极健合过程中产生的电场的影响的步骤。

12.根据权利要求6的方法，进一步包含通过在玻璃晶片上布置导电

200410030085.4权利要求书第2/4页

3

屏蔽层并将其与衬底相连从而保护器件不受阳极键合过程中产生的电场的影响的步骤。

13.根据权利要求8的方法，进一步包含通过在玻璃晶片上布置导电屏蔽层并将其与衬底相连从而保护器件不受阳极键合过程中产生的电场的影响的步骤。

14.根据权利要求1、2、4、5中任一项的方法，其中第二封闭层与衬底的第二表面键合以形成第二密封腔。

15.根据权利要求3的方法，其中第二封闭层与衬底的第二表面键合以形成第二密封腔。

16.根据权利要求6的方法，其中第二封闭层与衬底的第二表面键合以形成第二密封腔。

17.根据权利要求8的方法，其中第二封闭层与衬底的第二表面键合以形成第二密封腔。

18.