CN100492686C 具有渐变折射率减反射层的发光器件及其制作方法 （克里公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局[51]Int.Cl.

HO1L33/00(2006.01)

[12]发明专利说明书

专利号ZL200480011589.X

[45]授权公告日2009年5月27日[11]授权公告号CN100492686C

[22]申请日2004.4.13

[21]申请号200480011589.X

[30]优先权

[32]2003.4.30[33]US[31]60/466,618

[86]国际申请PCT/US2004/0113592004.4.13

[87]国际公布WO2004/100278英2004.11.18

[85]进入国家阶段日期2005.10.28

[73]专利权人克里公司

地址美国北卡罗来纳州

[72]发明人G·H·内格利

[56]参考文献

GB1136218A1968.12.11US4568140A1986.2.4

CN1290021A2001.4.4US4583822A1986.4.22

审查员刘佳秋

[74]专利代理机构中国专利代理(香港)有限公司代理人刘红梁永

权利要求书5页说明书9页附图4页

[54]发明名称

具有渐变折射率减反射层的发光器件及其制作方法

[57]摘要

300370365二衬底305310a310b315320340355一种发光器件(300),包括：衬底(305),其对于光辐射至少是部分透明的并具有第一折射率。二极管区域(315,320,325)布置在衬底的第一表面(310b)之上，配置成响应其上施加的电压而发射光。封装层(370)布置在衬底的第二表面上并具有第二折射率。减反射层(365)布置在衬底(305)的第一表面(310a)和封装层(370)之间。减反射层(365)具有渐变的折射率，该渐变折射率值的范围在减反射层(365)的第一表面处的大约第一折射率和减反射层(365)的第二表面处的大约第二折射率之间。还可以省略封装层(370),并且减反射层

300

370

365二

衬底

305

310a

310b

315

320

340

355

200480011589.X权利要求书第1/5页

2

1.一种发光器件，包括：

衬底，其对于光辐射至少是部分透明的，并具有第一表面、第二表面和第一折射率；

位于衬底的第一表面之上的二极管区域，配置成响应其上施加的电压而发射光；和

位于衬底的第二表面之上的减反射层，其具有渐变的折射率，该渐变折射率值的范围位于减反射层的第一表面处的第一折射率和对应于减反射层的第二表面处封装材料折射率的第二折射率之间；

其中衬底包括SiC,减反射层包括(SiC)(SiO?)1-,或衬底包括A1?0?,

减反射层包括(A1?O?)(SiO?)1-x,x值的范围位于0和1之间。

2.权利要求1所述的发光器件，其中减反射层的第一表面与衬底的第二表面邻近。

3.权利要求1所述的发光器件，其中x在减反射层的第一表面为1.0,在减反射层的第二表面为0.

4.权利要求1所述的发光器件，其中减反射层包括聚合物。

5.权利要求1所述的发光器件，其中衬底包括SiC,第一折射率为2.6,第二折射率为1.5.

6.权利要求1所述的发光器件，其中衬底包括A1?0?,第一折射率为

1.8,第二折射率为1.5.

7.权利要求1所述的发光器件，其中渐变折射率由函数f(m)表示，其中m代表减反射层的厚度，该减反射层的厚度起始于减反射层的第一表面，终止于减反射层的第二表面。

8.权利要求7所述的发光器件，其中f(m)是线性的。

9.权利要求1所述的发光器件，其中封装材料位于减反射层的第二表面上。

10.一种形成发光器件的方法，包括：

提供对于光辐射至少是部分透明的衬底，该衬底包括第一表面、第二表面和第一折射率；

在衬底的第一表面上形成二极管区域，其响应其上施加的电压而发射光；和

200480011589.X权利要求书第2/5页