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半导体材料工程师考试试卷及答案

填空题

1.常用元素半导体材料有硅、______和砷化镓。

2.半导体导带底与价带顶的能量区域称为______。

3.掺入施主杂质的半导体是______型半导体。

4.P型与N型半导体结合形成的结构是______。

5.MOS管中，栅极电压控制______的导通状态。

6.300mm直径晶圆称为______英寸晶圆。

7.光刻中转移掩模图案的关键步骤是______。

8.PECVD指______化学气相沉积。

9.半导体电阻率随温度升高而______（填“增大/减小/不变”）。

10.半导体导电载流子包括电子和______。

单项选择题

1.本征半导体中电子与空穴浓度关系是（）

A.电子空穴B.电子空穴C.电子=空穴D.不确定

2.N型半导体多数载流子是（）

A.电子B.空穴C.施主离子D.受主离子

3.PN结碰撞电离导致的击穿是（）

A.齐纳击穿B.雪崩击穿C.热击穿D.电击穿

4.属于物理气相沉积（PVD）的工艺是（）

A.LPCVDB.PECVDC.溅射D.氧化

5.正性光刻胶曝光后（）

A.溶于显影液B.不溶于显影液C.硬度增加D.厚度增加

6.晶圆制造第一步是（）

A.氧化B.光刻C.掺杂D.晶体生长

7.不影响MOS管阈值电压的是（）

A.栅氧化层厚度B.衬底掺杂C.栅极材料D.源漏间距

8.属于重掺杂工艺的是（）

A.扩散B.离子注入C