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- 2026-02-25 发布于重庆
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[19]中华人民共和国国家知识产权局
[12]发明专利申请公布说明书
[21]申请号200610002295.1
[51]Int.Cl.
H01J9/02(2006.01)
C25B7/00(2006.01)CO1B31/02(2006.01)
[43]公开日2007年8月1日[11]公开号CN101009186A
[22]申请日2006.1.27
[21]申请号200610002295.1
[71]申请人东元电机股份有限公司地址中国台湾
[72]发明人郑奎文萧俊彦李协恒李裕安蔡金龙
[74]专利代理机构
代理人
权利要求书3
北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司
余朦方挺
页说明书7页附图5页
[54]发明名称
点矩阵式循序电泳沉积制作碳纳米管电子发射源的方法
[57]摘要
一种点矩阵式循序电泳沉积制作碳纳米管电子发射源的方法,提供了一种交错式电泳沉积技术,使电泳沉积过程的时间中仅形成单一像素电场,从而使仅该电泳区域有电泳沉积效果;其中阴极板的多个阴极电极为纵向排列,该电极上设置有多个电子发射源待被沉积的位置,而电泳使用的阳极板上的多个阳极电极与阴极电极垂直对应配置,利用开关单元循序方式对各阴极电极与阳极电极依循序变化分别提供阴极电极或阳极电极的电位差,当进行电泳时,在单位时间内在阴阳极板间仅其中一个交错的像素有电场形成,从而仅在该区域产生沉积效果以制作碳纳米管电子发射源,利用各阴极电极或
200610002295.1权利要求书第1/3页
2
1.一种点矩阵式循序电泳沉积制作碳纳米管电子发射源的方法,
包括:
a)、以电源装置的阳极端连接阳极板的多个阳极电极,将电源装置的阴极端连接于开关单元的输入端,而所述开关单元的输出端连接于阴极板的多个阴极电极上,所述多个阴极电极与所述多个阳极电极呈垂直对应,再将信号产生单元连接于所述多个开关单元的输入端;
b)、调制电泳槽内部的电泳溶液,将所述阴极板与所述阳极板呈平行对应地置放在所述电泳槽中;
c)、所述电源装置的阳极端将电压输出至所述阳极板的多个阳极电极,而所述信号产生单元将产生的脉冲信号输入到所述多个开关单元,在电泳沉积制作时,仅有一个所述开关单元导通,其余的开关单元不导通,使所述阴极板中的一个阴极电极呈通电状态,从而在电泳时间中所述阴极电极与所述阳极电极间仅单一像素形成电位差以产生电场,从而在被导通的阴极电极预备沉积电子发射源的位置上形成碳纳米管;
d)、在所述被导通的阴极电极进行电泳沉积制作时,所述导通中的开关单元同时计时,一旦计时时间到达预定时间后,将切断导通中阴极电极的供电状态,并以下一个开关单元导通、其余开关单元不导通的循序方式对下一个阴极电极进行循序电泳沉积制作。
2.如权利要求1所述的点矩阵式循序电泳沉积制作碳纳米管电子发射源的方法,其中,所述电源装置为扫描式电源装置,所提供的电压方式为以一周期时间完成一全面积电泳,所述一周期时间优选为一秒钟,所述电源装置的阳极端提供正电压为120V的脉冲式电压。
3.如权利要求1所述的点矩阵式循序电泳沉积制作碳纳米管电子发射源的方法,其中,所述阳极板是在绝缘板上制作做多个横向配置的阳极电极。
200610002295.1权利要求书第2/3页
3
4.如权利要求3所述的点矩阵式循序电泳沉积制作碳纳米管电子发射源的方法,其中,所述绝缘板可以为玻璃基板,通过网印或微影等任意一种工艺在所述玻璃基板上制作阳极电极。
5.如权利要求1所述的点矩阵式循序电泳沉积制作碳纳米管电子发射源的方法,其中,所述阴极板上具有多条纵向设置的阴极电极。
6.如权利要求1所述的点矩阵式循序电泳沉积制作碳纳米管电子发射源的方法,其中,所述阴极电极为已完成栅极及牺牲层制作的半成品结构。
7.如权利要求6所述的点矩阵式循序电泳沉积制作碳纳米管电子发射源的方法,其中,所述牺牲层用于保护无需进行电泳沉积的区域不会产生沉积物残留。
8.如权利要求6所述的点矩阵式循序电泳沉积制作碳纳米管电子发射源的
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