CN101030602A 一种可减小短沟道效应的mos晶体管及其制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200710039186.1

[51]Int.Cl.

HO1L29/78(2006.01)

HO1L29/41(2006.01)

HO1L29/43(2006.01)

HO1L27/04(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

HO1L21/28(2006.01)

[43]公开日2007年9月5日[11]公开号CN101030602A

[51]Int.CI.(续)

H01L21/822(2006.01)

[22]申请日2007.4.6

[21]申请号200710039186.1

[71]申请人上海集成电路研发中心有限公司

地址201203上海市张江高科技园区碧波路

177号华虹科技园4楼B区

[72]发明人康晓旭

[74]专利代理机构上海智信专利代理有限公司代理人王洁

权利要求书1页说明书4页附图3页

[54]发明名称

一种可减小短沟道效应的MOS晶体管及其制作方法

[57]摘要

本发明提供一种可减小短沟道效应的MOS晶体管及其制作方法。现有技术采用外延工艺制作抬高的源极和漏极来减小短沟道效应，存在高复杂性和高成本等问题。本发明