CN101022068A 硅微通道内连续打拿极的制作方法 （长春理工大学）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局[51]Int.Cl.

HO1J9/02(2006.01)

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200710086664.4

[43]公开日2007年8月22日[11]公开号CN101022068A

[22]申请日2007.3.29

[21]申请号200710086664.4

[71]申请人长春理工大学

地址130022吉林省长春市朝阳区卫星路

7089号

[72]发明人端木庆铎李野王国政姜德龙付申成吴奎王新

[74]专利代理机构中国兵器工业集团公司专利中心代理人曲博

权利要求书1页说明书2页附图2页

[54]发明名称

硅微通道内连续打拿极的制作方法

[57]摘要

硅微通道内连续打拿极的制作方法涉及到的是一种在长径比大于40的硅单晶基体微孔深通道内制作连续打拿极的方法，最终制得微通道板，属于光电成像技术领域。现有采用玻璃骨架制作的微通道板噪声高、分辨率低。本发明采用硅单晶微通道阵列骨架作为微通道板基体，先在硅单晶微通道阵列骨架表面制作SiO?绝缘层，再在该绝缘层上制作硅结晶导电层，最后将该导电层表层一部分硅热敏化