CN101017834A 一种soi集成电路结构及其制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200710037775.6

[51]Int.Cl.

H01L27/12(2006.01)

H01L23/367(2006.01)

HO1L21/84(2006.01)

[43]公开日2007年8月15日[11]公开号CN101017834A

[22]申请日2007.3.2

[21]申请号200710037775.6

[71]申请人上海集成电路研发中心有限公司地址201203上海市张江碧波路177号4楼B

区

[72]发明人张晨骋

[74]专利代理机构上海智信专利代理有限公司代理人王洁

权利要求书3页说明书7页附图2页

[54]发明名称

一种SOI集成电路结构及其制作方法

[57]摘要

1423本发明提供一种SOI集成电路结构，具有自上而下依次为单晶硅层、绝缘材料埋层以及衬底体硅材料的SOI结构，在单晶硅层具有浅沟槽隔离结构，所述的浅沟槽侧壁设有绝缘导热材料，该绝缘导热材料贯穿绝缘材料埋层与衬底体硅材料相接触。该结构可以形成一个上下硅层之间的热通道，便于器件产生的热量转移到衬底体硅材料上，有助

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