2026《压力差传感器关键技术参数设计案例》5300字.docxVIP

压力差传感器关键技术参数设计案例

目录

TOC\o1-3\h\u11177压力差传感器关键技术参数设计案例 1

2381.1引言 1

284151.2压力传感器芯片设计 1

192971.2.1压敏芯片电阻条设计 1

127801.2.2引线电极设计 4

319771.3波导管防干扰设计 5

28221.4整体接口电路设计 6

47661.4.1求差电路设计 7

103641.4.2滤波电路参数设计 9

229441.4.3PCB设计 10

173901.5压力传感器封装结构耐压设计 12

1.1引言

本章节将对本论文工作中研究的上述关键部分的设计进行更近一步的设计介绍。主要包括压力敏感芯片中电阻条的设计，以及引线电极的设计。压敏电阻条根据压力受力仿真和功耗散热等综合考虑，确定了位置和面积大小。引线电极根据实际应用需求，确定了设计方案。同时，根据应用需求，设计了接口电路，主要包括滤波电路和求差电路，设计了滤波电路的高频截止频率，并完成了相应的PCB电路板设计。此外设计了波导管防屏蔽的参数计算和设计，确定了波导管的截止频率。同时完成了封装结构设计，主要是对封装结构的耐压计算，使得本设计的压力差传感器能够耐受住使用中需求的高压力。下面将会对各个部分进行详细的介绍。

1.2压力传感器芯片设计

1.2.1压敏芯片电阻条设计

本论文研究工作中，在设计压力敏感芯片的时候，需要将设计的参数先使用软件仿真，从而达到生产制备的一次成型，提高成功率。

将布置在弹性膜上的力敏电阻因受应力而引起阻值的变化，作为感测流体压力的元件。可见，不仅要知道膜上应力与膜的大小及厚度的关系，还需要知道应力在膜中的分布，使力敏电阻布置在最高应力处，从而提高芯片的灵敏度。

当芯片满量程输出时，通过计算膜片最大应力应小于或是接近弹性极限内允许的最大应力时，则量程的计算便是正确的。硅的弹性极限是8×107Pa，相应的应变为500με。

利用有限元分析软件ANSYS，可以对压力敏感芯片弹性膜片三维结构的静态力学进行分析，确定出电阻条的合理位置、尺寸与厚度。

压力敏感芯片采用正方形膜片，经过查询资料可知，这里仿真取单晶硅杨氏模量EX=1.6895×1011Pa，EY=1.6895×1011Pa，EZ=1.3002×1011Pa；硅的塑性屈服强度为7000MPa；泊松比为：PRXY=0.0625，PRYZ=0.2785，PRXZ=0.2785；压力取极限压力25MPa；电阻条的厚度d=200nm，电阻条的设计为长L=50μm，宽W=10μm；密度取ρsi为2.35g/cm3，电阻率为0.1Ω·m。

图3-1和图3-2所示分别是使用有限元分析软件ANSYS采用上述参数模拟对应力沿X轴方向的分析结果。

图3-1沿表面X轴方向的应力分布

图3-2X方向应力分布云图

由ANSYS分析可知，确定压力敏感芯片的桥臂电阻应放置在应变膜片边缘中心处的矩形范围内。根据压力敏感单元的结构尺寸及电阻条的几何参数，按照半导体微电子器件设计要求，进行了压力敏感单元的版图设计。版图设计中要考虑到在不降低弹性膜片的过载能力的条件下，电阻条的合理布置和设计以及可靠性。

同时从散热方面考虑，为使电阻的发热和散热达到平衡状态，要尽量降低芯片的功耗。在掺杂浓度为3×1018cm-3时，电阻的电阻率ρ为2.14×10-2Ω·cm。考虑到SOI电阻条的厚度d=200nm，长为L，宽为W，则单个电阻条值如下式所示：

（3-1）

考虑到敏感芯片的整体散热面积，需要使单位面积功耗Ps≤5×10-3mW/μm2，而单位面积的功耗为：

（3-2）

本课题研究所用电桥的输入电压为AD580芯片转换后的2.5Ｖ，那么在没有压力的状态下，加载在每个电阻上的电压V为2.5V，代入式（3-1）和式（3-2），得到L≥35μm，W≥8μm。同时考虑到电阻条的平面尺寸越大对掺杂均匀性的要求也就会越高；而电阻条过窄的情况下，则电阻条阻值误差较大，同时工艺水平也影响加工尺寸。综合考虑电阻条的设计为长L=50μm，宽W=10μm。

图3-3所示为本论文设计的压力敏感芯片的版图设计，其中图中间部分的红线框所示区域为四个压力敏感电阻桥臂的设计。

图3-3压力敏感芯片的版图设计

1.2.2引线电极设计

本课题研究的设计中采用了SOI单晶硅基片制作的压力敏感芯片取消PN结的结构，SOI压阻式压力敏感芯片。如果采用低掺杂工艺制作，在电极引出处还需要进行高掺杂做欧姆接触，同时也增加了退火工艺，增加了工艺步骤，