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特高频电磁波（UHF）测量局部放电智能传感监测技术分析

目录

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290911.1局部放电 1

127801.2特高频局放天线设计要点 4

174071.3特高频局放天线仿真及制作 5

221381.4UHF放大器及其保护设计 10

47271.5模拟信号调理单元和采集单元 11

64641.6局部放电信号预处理、特征值提取和数据结构表达的方法 12

局部放电

在设计用于局部放电信号检测的特高频宽带天线时，应该针对高压气体绝缘组合设备局部放电信号的产生原因进行分析。对于局部放电的产生原理，基本是由于电气设备的绝缘系统中，各部位的电场强度往往是不相等的，当局部区域的电场强度达到该区域介质的击穿场强时，该区域就会出现放电，但这放电并没有贯穿施加电压的两导体之间，即整个绝缘系统并没有被击穿，仍然保持绝缘性能，这种现象称为局部放电。发生在绝缘体内的称为内部局部放电；发生在绝缘体表面的称为表面局部放电；发生在导体边缘而周围都是气体的，可称之为电晕。局部放电是由于局部电场畸变、场强集中，从而导致绝缘介质局部范围内的气体放电或击穿所造成的。它可能发生在导体边上，也可能发生在绝缘体的表面或内部。局部放电是一种脉冲放电，同时它会在电力设备内部和周围空间产生一系列的光、声、电气和机械的振动等物理现象和化学变化。局部放电在空间产生电磁波，在接地线上流过高频电流，使外壳对地呈高频电压。局部放电产生原因多种多样，其中最为主要的绝缘缺陷如图2.1所示。

图2.1局部放电缺陷示意图

其放电原因可以总结以下几个方面：

固定缺陷。其中包括导体和外壳内表面上的金属突起，以及固体绝缘表面上的微粒。金属突起通常是在制造不良和安装损坏擦划时造成的，导致毛刺且较尖。在稳定的工频状态下不引起击穿，但在快速电压如冲击、快速暂态过电压(VFTO)条件下很危险。

导体腔体内可以移动的自由金属微粒。金属微粒是最普遍的微粒，在制造、装配和运中均有可能产生，它有积累电荷的能力。在交流电压场的影响下能够移动，在很大程度上运动与放电的可能性是随机的。当靠近高压导体且并未接触时，放电最可能发生，且放电可能性比同样微粒但为固定物时高10倍左右。

传导部分接触不良。例如静电屏蔽和其它浮动部件。由松动或浮动部件产生的放电可能性很大，通常易于检测，放电趋向于反复，其放电电荷在nC到mC间转变。

绝缘子制造时产生内部空隙和实验闪络引起表面有痕迹，主要因为电极表面粗糙或制造时嵌入了金属微粒。此外，环氧树脂与金属电极的收缩系数不同，也会形成气泡或空隙。这些绝缘缺陷会产生局部放电，在绝缘体中的局部放电会腐蚀绝缘材料，进一步发展成为树枝，最后导致绝缘击穿。一般来说，缺陷引起的局部放电具有以下相同特征：

电场不均匀时，导体周围易发生电晕放电，由于气体中的分子是自由移动的，因此电力设备中的电晕放电过程与空气中的电晕放电相似，在施加电压的正负峰值附近发生PD脉冲，随着电压增加，PD脉冲加大，频度增加。这些PD脉冲产生的电磁波具有丰富的频带，因此可以针对PD信号进行探测，来实现电力设备的局放检测。

局部放电测量的方法很多，都是根据局部放电过程中所发生的物理和化学效应，局部放电测量方法可以分为电测法和非电测法两大类，具体分类见表2.1.

表2.1电力设备中局部放电监测方法性能比较

耦合电容法

UHF法

超声波监测法

化学监测法

光学监测法

优点

简单；灵敏度较高

灵敏度高；可用运行设备中

灵敏度高；抗电磁干扰能强

不受电磁干扰

不受电磁干扰

缺点

运行设备不能使用；信噪比低

造价高

结构复杂；要求丰富经验的人操作

灵敏度差；不能长期监测

灵敏度差；需多个传感器

可达精度

5pC

0.5-0.8pC

2PC

很差

很差

实用监测的放电源

固定微粒；悬浮物；气隙和裂缝

各种缺陷类型都适用

自由移动的微粒；悬浮物

放电情况严重时的缺陷

固定微粒

能否故障定位

不能

精确度较高：±0.1m

适用，但条件苛刻需多个传感器

仅能判断哪个气室发生放电

不能

能否判别故障类型

能

能

能

不能

不能

是否已应用

早期应用较多

应用较多

应用一般

极少应用

极少应用

通过对比，发现UHF法优势包括：抗干扰能力强（检测频率范围300MHz—3GHz，可避开空气中电晕等低频段的干扰）、灵敏度高（检测到高达0.5pC—0.8pC的放电量，可用于运行中的设备）、故障定位精度高（位置±0.1m，适用于各种类型的缺陷）。

本文在局部放电UHF信号的特征分析基础上，利用现有天线结构以及非频变天线原理，设计出了适用于局放检测的特高频宽带天线，通过仿真模拟与实际测量相结合的方法得出试验数据，对实验数据的分析