CN101359664A Bcd工艺中的n型ldmos器件及其版图制作方法和制造方法 （上海贝岭股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200710044405.5

[51]Int.Cl.

HO1L27/04(2006.01)

HO1L29/78(2006.01)H01L21/822(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

[43]公开日2009年2月4日[11]公开号CN101359664A

[22]申请日2007.7.31

[21]申请号200710044405.5

[71]申请人上海贝岭股份有限公司地址200233上海市宜山路810号

共同申请人上海集成电路研发中心有限公司[72]发明人顾鹏程王炜

[74]专利代理机构北京金信立方知识产权代理有限公司

代理人黄威徐金伟

权利要求书3页说明书17页附图13页

[54]发明名称

BCD工艺中的N型LDMOS器件及其版图制作方法和制造方法

[57]摘要

本发明涉及一种BCD工艺中N型LDMOS器件及其版图制作方法和制造方法，用于在器件的漏极位于器件中央的圆形版图布图时，通过将NTUB区域(4)在器件源极(13)处的边界定义在器件源极(13)的N+区域(11)靠近P+区域(12)一侧的边界处，器件所在的N