CN101345208B 一种应用于铜互连扩散阻挡层的制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101345208B

(45)授权公告日2014.07.16

(21)申请号200810041890.5

(22)申请日2008.08.19

(73)专利权人上海集成电路研发中心有限公司地址201203上海市张江高科技园区碧波路

177号华虹科技园4楼B区

(72)发明人康晓旭

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237

代理人屈蘅

(51)Int.CI.

HO1L21/768(2006.01)

(56)对比文件

CN101017793A,2007.08.15,审查员张一文

US2006/0183327A1,2006.08.17,

US2006/0183327A1,2006.08.17,

权利要求书1页说明书4页附图2页

(54)发明名称

一种应用于铜互连扩散阻挡层的制作方法

S1在金属沟槽的槽内或接触孔的孔内或通孔的孔

S1

在金属沟槽的槽内或接触孔的孔内或通孔的孔内和介质层上沉积第一金属膜

利用氮气等离子体和惰性气体等离子体对该金属膜进行氮化处理，以在该第一金属膜表面上生十成