CN101246942B 发光二极管和激光器制作方法及发光二极管和激光器 （南开大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101246942B

(45)授权公告日2011.04.27

(21)申请号200810052484.9

(22)申请日2008.03.21

(73)专利权人南开大学

地址300071天津市南开区卫津路94号

(72)发明人孟志国吴春亚熊绍珍李娟

(74)专利代理机构天津佳盟知识产权代理有限

公司12002代理人侯力

(56)对比文件

JP2007250576A,2007.09.27,说明书第[0024]-[0035]段、附图1A-1H.

审查员赵伟

(51)Int.CI.

HO1L33/00(2006.01)

HO1S5/00(2006.01)

权利要求书3页说明书7页附图4页

(54)发明名称

发光二极管和激光器制作方法及发光二极管和激光器

604-603-

604-

603-

602-

702

601-

201-

101246942BCN一种发光二极管和激光器制作方法及发光二极管和激光器，方法是将发光二极管和激光器直接外延生长在单晶硅薄膜石英衬底上或外延生长在沉积有缓冲层的单晶硅薄膜石英衬底上。半导体发光二极管结构有与石英衬底键合单晶硅薄膜；形成在石英衬底上的单晶硅电