CN101542759A 半导体晶圆和半导体器件及其制作方法 （香港应用科技研究院有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200880000044.7

[51]Int.Cl.

HO1L33/00(2006.01)

HO1S5/00(2006.01)HO1L29/68(2006.01)

HO1L21/02(2006.01)

[43]公开日2009年9月23日[11]公开号CN101542759A

[22]申请日2008.6.2

[21]申请号200880000044.7

[86]国际申请PCT/CN2008/0711682008.6.2

[87]国际公布

[85]进入国家阶段日期2008.7.9

[71]申请人香港应用科技研究院有限公司

地址中国香港新界沙田香港科学园科技大道西二号生物资讯中心三楼

[72]发明人袁述

[74]专利代理机构深圳创友专利商标代理有限公司

代理人江耀纯

权利要求书3页说明书11页附图7页

[54]发明名称

半导体晶圆和半导体器件及其制作方法

[57]摘要

226224232-230222220206204240242246202202202本发明提供了半导体晶圆、半导体器件以及制作半导体晶圆和器件的方法。本发明实施例特别适合用于基板替换应用，例如在制作垂直结构LED情况下。本发明一个实施例包括一种制作半导体器件

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202

202

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200880000044.7权利要求书第1/3页

2

1.一种半导体晶圆，包括：

一个基板；

在基板上的多个抛光触止块；

在基板上生长的一个或多个缓冲层；和

在一个或多个缓冲层上的一个或多个外延层。

2.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其中基板是一个蓝宝石基板。

3.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其中多个抛光触止块是使用一种减法方法(subtractionmethod)形成。

4.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其中多个抛光触止块是使用一种加法方法(additionmethod)形成。

5.根据权利要求1所述的半导体晶圆，还包括多个光散射元件在一个或多个缓冲层里。

6.根据权利要求1所述的半导体晶圆，还包括在一个或多个缓冲层之间的一个触止层。

7.根据权利要求1所述的半导体晶圆，其中每个抛光触止块包括被加到抛光触止块上的一个抛光触止层，且其中每个抛光触止块是由第一材料制成，而每个抛光触止层是由第二材料制成。

8.根据权利要求7所述的半导体晶圆，其中每个抛光触止层完全覆盖抛光触止块。

9.一种半导体器件，包括：

200880000044.7权利要求书第2/3页

3

一个基板；

在基板上的多个抛光触止块；

在基板上生长的一个或多个缓冲层；

在一个或多个缓冲层上的一个或多个外延层；和

在一个或多个外延层上的一个或多个金属层。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中使用一种积层或层压工艺(build-uporlaminationprocess),一个或多个金属层被增加到一个或多个外延层。

11.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括在一个或多个缓冲层之间形成的一个高掺杂触止层。

12.根据权利要求9所述的半导体器件，其中高掺杂触止层是一个或多个AllnGaN层。

13.根据权利要求9所述的半导体器件，其中基板是一个蓝宝石基板。

14.一种制作半导体晶圆的方法，本方法包括：

提供一个基板；

在基板上形成多个抛光触止块；

在基板上生长一个或多个缓冲层；和

在一个或多个缓冲层上生长一个或多个外延层。

15.根据权利要求14所述的制作半导体器件的方法，还包括在每个抛光触止块上形成一个抛光触止层，且其中每个抛光触止块是由第一材料制成，而每个抛光触止层是由第二材料制成。

16.根据权利要求14所述的制作半导体器件的方法，还包括增加一个

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