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薄膜电路溅射技师考试试卷及答案

填空题（10题，每题1分）

1.薄膜溅射常用的惰性气体是______。

2.磁控溅射利用______约束电子提高电离效率。

3.溅射前基础真空度通常在______Pa以下（数量级）。

4.直流溅射适用于______靶材（导电/绝缘）。

5.薄膜厚度常用检测方法是______（如台阶仪）。

6.溅射后常进行______处理降低应力。

7.正胶曝光区域______于显影液（可溶/不可溶）。

8.附着力常用测试方法是______法。

9.真空系统由机械泵和______泵组成。

10.影响沉积速率的因素包括靶功率、______和靶基距。

答案：1.氩气；2.磁场；3.1e-3；4.导电；5.台阶仪；6.退火；7.可溶；8.划格；9.分子；10.工作气压

单项选择题（10题，每题2分）

1.沉积速率最高的溅射类型是？

A.直流溅射B.射频溅射C.磁控溅射D.离子束溅射

2.靶材中毒常见于？

A.金属靶+氧气B.绝缘靶+氩气C.半导体靶+氮气D.金属靶+氩气

3.光刻不包括的步骤是？

A.涂胶B.曝光C.显影D.焊接

4.分子泵的作用是？

A.粗真空B.高真空C.维持大气压D.过滤气体

5.导致薄膜起皱的应力是？

A.压应力B.拉应力C.零应力D.混合应力

6.氩气纯度通常要求？

A.99.9%B.99.99%C.99.999%D.99%

7.退火不具备的作用是？

A.降应力B.提附着力C.增厚度D.改善结晶

8.划格法最高附着力等级是？

A.5BB.1BC.5AD.1A

9.靶基距过大导致薄膜？

A.速率提高B.均匀性差C.应力减小D.纯度提高

10.射频溅射可用于？

A.仅金属B.仅半导体C.仅绝缘D.金属/半导体/绝缘

答案：1.C；2.A；3.D；4.B；5.A；6.C；7.C；8.A；9.B；10.D

多项选择题（10题，每题2分，多选少选不得分）

1.磁控溅射优势包括？

A.速率高B.靶利用率高C.衬底温度低D.仅导电靶

2.溅射前真空处理步骤？

A.机械泵粗抽B.分子泵高抽C.烘烤除气D.通工作气

3.薄膜常见缺陷？

A.针孔B.应力开裂C.厚度不均D.结晶度高

4.光刻关键步骤？

A.涂胶B.预烘C.曝光D.后烘

5.影响附着力的因素？

A.衬底粗糙度B.溅射功率C.退火温度D.靶材纯度

6.真空系统组成？

A.获得系统B.测量系统C.腔体D.电源系统

7.常用靶材类型？

A.金属靶B.合金靶C.陶瓷靶D.有机靶

8.薄膜性能测试项目？

A.厚度B.附着力C.电阻率D.硬度

9.靶材制备要求？

A.纯度高B.密度均匀C.表面平整D.含杂质多

10.设备维护要点？

A.换真空泵油B.清洁靶面C.查密封件D.忽略腔体清洁

答案：1.ABC；2.ABC；3.ABC；4.ABCD；5.ABC；6.ABC；7.ABC；8.ABCD；9.ABC；10.ABC

判断题（10题，每题2分，√/×）

1.直流溅射可用于绝缘靶材。（×）

2.磁控溅射靶利用率比直流高。（√）

3.真空度越高，沉积速率越快。（×）

4.退火温度越高，附着力越强。（×）

5.正胶曝光区域可溶于显影液。（√）

6.氩气是唯一工作气体。（×）

7.台阶仪可测薄膜厚度。（√）

8.划格法等级越低附着力越好。（×）

9.靶基距越小，均匀性越好。（×）

10.射频溅射可同时沉积多种靶材。（×）

简答题（4题，每题5分）

1.简述磁控溅射基本原理

答：基于辉光放电，利用磁场约束电子呈螺旋运动，延长其在等离子体中的停留时间，提高氩气电离效率，产生更多氩离子。氩离子在电场加速下轰击靶材，使靶原子溅射沉积在衬底。磁场增强等离子体密度，降低衬底温度，提升速率和靶利用率，是核心区别于普通溅射的关键。

2.溅射前真空处理步骤

答：①粗抽：机械泵抽至10Pa以下；②高抽：分子泵抽至1e-3Pa以下；③烘烤：100-200℃除衬底/腔体吸附水汽；④检漏：氦质谱仪查密封；⑤通工作气：氩气至0.5-5Pa，准备溅射。

3.影响薄膜附着力的因素

答：①衬底：粗糙度、清洁度（油污/氧化层）；②工艺：功率（过高轰击衬底）、气压（过低衬底温高）、靶基距（过近应力集中）；③匹配性：晶格/热膨胀系数差异；④后处理：退火（降应力）、离子轰击（强界面结合）。

4.光刻在薄膜电路中的作用及步骤

答：作用：转移电路图形。步骤：①涂胶；②预烘（去溶剂）；③曝光（掩模+紫外）；④显影（溶曝光区正胶）；⑤后烘（固化胶）；⑥刻蚀（干法/湿法去未覆盖薄膜）；⑦去胶（除残留胶）。

讨论题（2题，每题5分）

1.如何解决靶材中毒问题？

答：靶材中毒是金属靶与反应气生成绝缘层，导致速率下降。措施：①分压控制：实时调节反应气流量，维持金属/中毒模式；②中频电源：40kHz避免电荷积累；③靶预处理：氩离