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- 2026-02-28 发布于山东
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薄膜太阳能电池工程师考试试卷及答案
一、填空题(共10题,每题1分)
1.铜铟镓硒薄膜电池吸收层的英文缩写是______。
2.非晶硅薄膜常用制备技术的缩写为______。
3.薄膜电池开路电压的符号是______。
4.CdTe电池常用缓冲层材料是______。
5.薄膜电池封装粘结胶的缩写是______。
6.CIGS中镓(Ga)的作用是提高电池的______。
7.CIGS薄膜制备方法除共蒸发外,还有______法。
8.薄膜电池短路电流密度的符号是______。
9.非晶硅光致衰减效应简称______效应。
10.电池转换效率公式中FF代表______。
填空题答案:
1.CIGS2.PECVD3.Voc4.CdS5.EVA6.开路电压7.硒化(溅射)8.Jsc9.S-W10.填充因子
二、单项选择题(共10题,每题2分)
1.不属于薄膜电池吸收层的是?
A.CIGSB.CdTeC.单晶硅D.a-Si
2.PECVD制备a-Si的气源不包括?
A.SiH4B.H2C.B2H6D.O2
3.薄膜电池FF的理想范围是?
A.0.5-0.7B.0.7-0.85C.0.85-0.95D.0.95+
4.属于干法刻蚀的是?
A.湿法腐蚀B.等离子刻蚀C.化学抛光D.电镀
5.CdTe电池背接触层常用材料是?
A.AlB.MoC.ZnTeD.ITO
6.Voc主要与吸收层的______有关?
A.带隙宽度B.厚度C.掺杂浓度D.沉积温度
7.制备TCO常用设备是?
A.磁控溅射靶B.蒸发源C.激光熔覆D.丝网印刷
8.非晶硅/微晶硅叠层电池优势是?
A.成本更低B.宽光谱效率更高C.无衰减D.工艺更简单
9.EVA作用不包括?
A.粘结B.封装C.吸潮D.导电
10.属于p型半导体的是?
A.硼掺杂a-SiB.磷掺杂a-SiC.ITOD.Mo
单项选择题答案:
1.C2.D3.B4.B5.C6.A7.A8.B9.D10.A
三、多项选择题(共10题,每题2分)
1.薄膜电池主要类型包括?
A.a-SiB.CIGSC.CdTeD.单晶硅
2.CIGS制备方法有?
A.共蒸发B.硒化C.磁控溅射D.丝网印刷
3.薄膜电池性能参数包括?
A.转换效率ηB.VocC.JscD.FF
4.TCO常用材料有?
A.ITOB.FTOC.AZOD.Mo
5.薄膜电池封装步骤包括?
A.切割B.层压C.固化D.测试
6.S-W效应与哪些因素有关?
A.光照强度B.温度C.沉积工艺D.带隙宽度
7.CdTe电池结构包括?
A.TCOB.CdS缓冲层C.CdTe吸收层D.背接触层
8.薄膜电池优势包括?
A.材料用量少B.可柔性制备C.成本低D.效率高于晶体硅
9.a-Si掺杂源包括?
A.B2H6(p型)B.PH3(n型)C.SiH4D.H2
10.薄膜电池测试条件包括?
A.AM1.5G光谱B.1000W/m2光强C.25℃温度D.真空环境
多项选择题答案:
1.ABC2.ABC3.ABCD4.ABC5.BCD6.ABC7.ABCD8.ABC9.AB10.ABC
四、判断题(共10题,每题2分)
1.薄膜电池材料用量远少于晶体硅。()
2.CIGS带隙可通过Ga/In比例调节。()
3.非晶硅电池效率不受光致衰减影响。()
4.TCO作用是透光和收集载流子。()
5.CdTe中CdS缓冲层是n型半导体。()
6.共蒸发制备CIGS需严格控制元素速率。()
7.薄膜电池不能制备柔性器件。()
8.FF越高,电池效率越高。()
9.EVA是乙烯-醋酸乙烯酯共聚物。()
10.叠层a-Si/微晶硅效率低于单结a-Si。()
判断题答案:
1.√2.√3.×4.√5.√6.√7.×8.√9.√10.×
五、简答题(共4题,每题5分)
1.简述CIGS电池结构及各层作用。
答案:CIGS电池从下到上:玻璃衬底→Mo背电极(反射光、收集电子)→CIGS吸收层(产生载流子)→CdS缓冲层(形成pn结、钝化缺陷)→TCO(透光、收集空穴)→引出电极。CIGS带隙可调,适配宽光谱,各层协同实现光-电转换。
2.什么是光致衰减效应?影响哪种电池?
答案:光致衰减(S-W效应)指非晶硅电池光照下效率逐渐降低,稳定后平稳。因a-Si存在悬挂键缺陷,光照使电子被缺陷捕获形成亚稳态,增加载流子复合。主要影响单结a-Si电池,叠层a-Si/微晶硅可缓解。
3.TCO制备方法及性能要求?
答案:TCO常用磁控溅射(ITO、AZO)、PECVD。性能要求:①可见光透光率80%;②电阻率10^-4Ω·cm;③化学稳定;④与电池层兼容。需平衡透光与导电,确保光入射吸收层。
4.薄膜电池封装目的及常用材料?
答案:封装目的:防环境侵蚀(水汽、氧气)、提高机械强度、减反射。常用材料:前板(
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