CN101508420A 基于单根碳纳米管的纳米电极制作方法 （北京大学）.docxVIP

[51]Int.Cl.

[51]Int.Cl.

B82B3/00(2006.01)G01N27/26(2006.01)

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200910080999.4

[43]公开日2009年8月19日[11]公开号CN101508420A

[22]申请日2009.3.31

[21]申请号200910080999.4

[71]申请人北京大学

地址100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学

[72]发明人申钧陈清王威张新祥

[74]专利代理机构北京君尚知识产权代理事务所

(普通合伙)代理人俞达成

权利要求书1页

说明书6页附图3页

[54]发明名称

基于单根碳纳米管的纳米电极制作方法

[57]摘要

本发明公开了一种基于单根碳纳米管的纳米电极制作方法，属于纳米加工、生物技术和化学技术领域。本发明方法包括下列步骤：a)将单根碳纳米管组装在针尖上；b)在所述碳纳米管和针尖表面覆盖绝缘层；c)在所述针尖和另一针尖之间加电压，将所述另一针尖靠近碳纳米管直至接触碳纳米管端部以烧熔端部的绝缘层，或接触碳纳米管侧部以烧熔接触处附近的绝缘层并在接触处烧断碳纳米管，从而使碳纳米管