CN101447466B 一种芯片的沸腾强化换热结构及其制作方法 （西安交通大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101447466B

(45)授权公告日2011.07.27

(21)申请号200810236502.9

(22)申请日2008.12.26

(73)专利权人西安交通大学

地址710049陕西省西安市咸宁路28号

(72)发明人魏进家薛艳芳方嘉宾高秀峰袁敏哲

(74)专利代理机构西安通大专利代理有限责任公司61200

代理人(51)Int.CI.

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惠文轩

23/367(2006.01)

23/373(2006.01)23/44(2006.01)

21/00(2006.01)21/311(2006.01)

(56)对比文件

JPA,1988.01.20,

审查员杨丽丽

权利要求书1页说明书5页附图2页

(54)发明名称

一种芯片的沸腾强化换热结构及其制作方法

(57)摘要

CN101447466B本发明涉及高热流密度沸腾强化换热技术，特别涉及高热流密度微电子芯片高效冷却技术，具体为一种芯片的沸腾强化换热结构及其制作方法，具体为：在芯片的表面腐蚀出多个柱状结构的凸台，带有凸台的芯片表面溅射有SiO?层，Si0