CN101685821B 一种电荷捕捉浮动栅极结构存储单元及其制作方法 （旺宏电子股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101685821B

(45)授权公告日2011.06.22

(21)申请号200910134735.2

(22)申请日2009.04.20

(30)优先权数据

61/124,6522008.04.18US

12/409,9352009.03.24US

(73)专利权人旺宏电子股份有限公司

地址中国台湾新竹科学工业园区力行路16号

(72)发明人吕函庭

(74)专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司11021

代理人周国城

HO1L21/8247(2006.01)

(56)对比文件

CN101090118A,2007.12.19,全文.

US2006/0261401A1,2006.11.23,全文.US2007/0132010A1,2007.06.14,全文.

US2007/0045718A1,2007.03.01,全文.

US2007/0045711A1,2007.03.01,全文.审查员季茂源

(51)Int.CI.

HO1L27/115(2006.01)