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- 2026-03-01 发布于重庆
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(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号CN101695992A
(43)申请公布日2010.04.21
(21)申请号200910187860.X
(22)申请日2009.10.11
(71)申请人大连理工大学
地址116024辽宁省大连市甘井子区凌工路
2号
(72)发明人褚金奎张然刘帅张成王文静
(74)专利代理机构大连理工大学专利中心
21200
代理人关慧贞
(51)Int.CI.
B81C1/00(2006.01)
权利要求书1页说明书3页附图3页
(54)发明名称
基于体硅加工技术的电热驱动微夹钳制作方法
(57)摘要
CN101695992A本发明基于体硅加工技术的电热驱动微夹钳制作方法属于微制造技术领域,特别涉及一种基于体硅工艺的微夹钳制作方法。采用体硅加工技术制作出具有较大深宽比微结构的电热驱动微夹钳,包括以下步骤:预处理;光刻释放窗口图形;用湿法刻蚀工艺刻蚀下表面二氧化硅;光刻钳体图形;用自感耦合等离子刻蚀工艺刻蚀上表面二氧化硅;用自感耦合等离子刻蚀工艺刻蚀释放窗口;用自感耦合等离子刻蚀工艺刻蚀钳体;去除表面二氧化硅;溅射金属电极;完成硅微夹钳制作。本发明具有制作成本较低,加工周期较短,可
CN101695992A
CN101695992A权利要求书1/1页
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1.一种基于体硅加工技术的电热驱动微夹钳制作方法,其特征是,采用体硅加工技术制作出具有较大深宽比微结构的电热驱动微夹钳,包括以下步骤:
(1)预处理:先对硅片1进行清洗,再氧化生成氧化层2;
(2)光刻释放窗口图形:使用光刻胶3,在硅片下表面上光刻释放窗口图形;
(3)使用湿法刻蚀工艺刻蚀下表面二氧化硅:首先在硅片上表面涂一层光刻胶以保护上表面二氧化硅,然后使用氢氟酸去除硅片下表面未被光刻胶保护的二氧化硅,最后使用去胶液去除光刻胶;
(4)光刻钳体图形:使用光刻胶,在硅片上表面上光刻微夹钳图形;
(5)使用自感耦合等离子刻蚀工艺刻蚀上表面二氧化硅:使用自感耦合等离子刻蚀工艺去除硅片上表面未被光刻胶保护的二氧化硅,然后使用去胶液去除光刻胶;
(6)使用自感耦合等离子刻蚀工艺刻蚀释放窗口:使用自感耦合等离子刻蚀工艺刻蚀硅片下表面未被二氧化硅保护的释放窗口,刻蚀深度为硅片厚度与微夹钳厚度之差;
(7)使用自感耦合等离子刻蚀工艺刻蚀钳体:使用自感耦合等离子刻蚀工艺刻蚀硅片上表面未被二氧化硅保护的钳体;
(8)去除表面二氧化硅:用氢氟酸去除硅片表面二氧化硅;
(9)溅射金属电极:将带有电极图形的模具4作为掩蔽,在硅片上表面电极位置先溅射金属钛或铬5,然后溅射导电金属6,完成硅微夹钳7的制作。
CN101695992A说明书1/3页
3
基于体硅加工技术的电热驱动微夹钳制作方法
技术领域
[0001]本发明属于微制造技术领域,特别涉及一种基于体硅工艺的微夹钳制作方法。
背景技术
[0002]微夹钳是微执行器的一种,用于完成微小目标的夹持、移动和组装等动作,在微机电系统(MEMS)的微操作、微装配领域担当重要角色。目前,微夹钳主要采用静电、压电、形状记忆合金、电热等驱动方式使夹持端运动并夹持微小物体。因为电热驱动微夹钳具有控制简单、操作方便、能提供大的输出力和驱动电压低等优点,所以本发明所述加工技术是针对此种微夹钳。
[0003]目前微夹钳的制作方法主要分为以下三种:精密机械加工技术、LIGA加工技术和半导体加工技术。澳大利亚莫纳什大学的MohdNashrulMohdZubir等人使用EDM(电火花线切割)工艺制作出了由PZT(压电晶体)驱动的微夹钳(SensorsandActuatorsA:Physical150(2009)257-266)。然而精密机械加工方法存在加工尺寸大、制造成本高、加工周期长和不适合于批量生产等缺点。LIGA技术是80年代初由德国Karlsruhe原子核研究中心首先提出并发展起来。意大利MiTech实验室MariaChiaraCarrozza等人采用LIGA技术制作了镍微夹钳(MicromechMi
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