CN101699616B 沟道式mos pn 结肖特基二极管结构及其制作方法 （英属维京群岛商节能元件股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101699616B

(45)授权公告日2011.11.16

(21)申请号200910207265.8

(22)申请日2009.10.23

(73)专利权人英属维京群岛商节能元件股份有限公司

地址中国台湾台北市

(72)发明人赵国梁陈美玲苏子川郭鸿鑫

(74)专利代理机构隆天国际知识产权代理有限公司72003

代理人冯志云

(51)Int.CI.

HO1L21/329(2006.01)

HO1L29/872(2006.01)

(56)对比文件

CN1366710A,2002.08.28,

US

US

CN

6433396

6404033

1485909

B1,2002.08.13,

B1,2002.06.11,A,2004.03.31,

审查员韩冰

权利要求书5页说明书12页附图20页

(54)发明名称

沟道式MOSP-N结肖特基二极管结构及其制作方法

(57)摘要

CN101699616B本发明公开一种沟道式金属氧化物半导体P-N结肖特基二极管结构及其制作方法，该结构主要包含有一基板、一沟道结构、一多晶硅层、一氧化物层、一金属层以及一离子注入区域，其制作方法包含下列步骤：提供一基板；于该基板上形成一第一掩模层；进行一第一光刻蚀刻工艺，形成一沟道结构；于该沟道结构内成长一栅氧化物层；进行一离子注入工艺形成一离子注入区域；于该沟道结构内形成一多晶硅层；于部分该多晶硅层与该第一掩模层上形成一第二掩模层；进行一第二光刻蚀刻工艺，形成一侧壁结构并露出部分该多晶硅层与该基板；以及于生成结构上形成一金属层。本发明具有低反向电压漏电流、低正向

CN101699616B

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CN101699616B权利要求书1/5页

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1.一种沟道式金属氧化物半导体P-N结肖特基二极管结构制作方法，该方法至少包含下列步骤：

提供一基板；

于该基板上形成一第一掩模层；

对该基板进行一第一光刻蚀刻工艺，进而去除部分该第一掩模层并于该基板上形成一沟道结构；

于该沟道结构内进行一离子注入工艺，进而于该基板上形成一离子注入区域；

于该沟道结构与该第一掩模层上形成一多晶硅层；

进行一蚀刻工艺将部分该多晶硅层去除，进而露出该第一掩模层；

于该多晶硅层与该第一掩模层上形成一第二掩模层；

进行一第二光刻蚀刻工艺，进而形成一侧壁结构并露出部分该多晶硅层与该基板；

于该第二掩模层、该多晶硅层、该基板与该侧壁结构上形成一金属层；以及

进行一第三光刻蚀刻工艺，进而去除部分该金属层。

2.如权利要求1所述的沟道式金属氧化物半导体P-N结肖特基二极管结构制作方法，其中该第一掩模层为通过一氧化工艺所完成；该基板为一高掺杂浓度N型硅基板与一低掺杂浓度N型外延层所构成，而于该沟道结构内进行的该第一离子注入工艺为在该基板所包含的该低掺杂浓度N型外延层中形成一P型传导类型半导体材料的该离子注入区域；该多晶硅层通过一化学气相沉积法堆积形成于该沟道结构与该第一掩模层上，该第二掩模层通过一低压化学气相沉积法形成于该第一掩模层与该多晶硅层上，而该第二掩模层为以一四氧乙基硅烷所完成的氧化物层；该第一光刻蚀刻工艺包含下列步骤：(a1)于该第一掩模层上形成一光致抗蚀剂层，(a2)于该光致抗蚀剂层上定义出一光致抗蚀剂图形，(a3)根据该光致抗蚀剂图形对该第一掩模层进行蚀刻而形成该沟道结构，以及(a4)去除该光致抗蚀剂层；该离子注入工艺包含下列步骤：(b1)于该沟道结构内进行一通氧加热工艺，进而于该沟道结构的侧壁与底部形成一第一氧化物层，(b2)去除该沟道结构底部的该第一氧化物层，(b3)于该沟道结构内，利用硼离子注入到该低掺杂浓度N型外延层中，并配合进行一热退火工艺后形成该离子注入区域，(b4)去除该沟道结构侧壁的该第一氧化物层，以及(b5)于该沟道结构的侧壁上形成一第二氧化物层；该第二光刻蚀刻工艺包含下列步骤：

(c1)于该第二掩模层上形成一光致抗蚀剂层；(c2)于该光致抗蚀剂层上定义