CN101645477B 使用沉积法的发光二极管芯片封装结构及其制作方法 （宏齐科技股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101645477B

(45)授权公告日2012.03.07

(21)申请号200810144903.1

(22)申请日2008.08.07

(73)专利权人宏齐科技股份有限公司地址中国台湾新竹市

(72)发明人汪秉龙巫世裕黄照元杨秉洲蒋政谚

(74)专利代理机构北京银龙知识产权代理有限公司11243

代理人许静

(51)Int.CI.

HO1L33/00(2006.01)

HO1L25/00(2006.01)

HO1L25/075(2006.01)

HO1L21/50(2006.01)

HO1L21/56(2006.01)

(56)对比文件

CN1976026A,2007.06.06,说明书第3页具

体实施方式第1段至第5页第17行、附图2-6.US2007/0145399A1,2007.06.28,说明书第

0048段至第0050段、附图4(A).

JP特开2004-153109A,2004.05.27,全文.