碳化硅外延层载流子寿命的测试 瞬态吸收法编制说明.pdfVIP

国家标准《碳化硅外延层载流子寿命的测试瞬态吸收法》

编制说明（征求意见稿）

一、工作简况

1、立项目的和意义

碳化硅作为典型的宽禁带半导体材料，因其优越的物理特性非常适合在大功

率、高温和高频环境下应用，属于典型的新材料。《战略性新兴产业分类（2018）》

中3.4.3.1半导体晶体制造-3985*-电子专用材料制造（碳化硅单晶和单晶片）；

《新材料标准领航行动计划（2018-2020年）》中二、主要行动-（二）4先进半

导体材料明确提及建立碳化硅标准；《新材料产业发展指南》中三、发展方向（二）

中明确提及宽禁带半导体材料；《重点新材料首批次应用示范指导目录（2019

年版）》中关键战略材料-三、第284项对应碳化硅外延片。

电力电子器件（或称功率半导体器件、功率器件）是电力电子技术发展的基

础和核心。随着电力电子技术在输配电中应用需求的不断增大，大功率电力电子

器件得到了大力发展。经过多年的发展，传统Si基功率器件的性能已逼近理论

极限，为使功率器件性能有更大甚至是突破性的提高，必须选择比Si材料性能

更优异的第三代宽禁带半导体材料。碳化硅（SiC）相比于Si有更高饱和漂移速

度、更高的临界击穿电压和更高的热导率等突出优点，更适合大功率、高温、高

频、抗辐照应用场合。SiC半导体器件拥有体积小、散热效率高、运行损耗低、

制备污染少等经济和环保效益。相比其他宽禁带半导体材料，SiC已经形成产业

化，继续降低生产成本，提升产品良率是行业的重要发展方向。

随着行业的成熟发展，下游器件厂商越来越关注除宏观缺陷之外的晶格缺陷，

例如碳空位等点缺陷。点缺陷是无法通过缺陷表征设备去直接测得的，一般是通

过载流子寿命的长短去反应点缺陷的密度。点缺陷密度越小，载流子寿命越高。

传统的微波光电导衰减法测试碳化硅载流子寿命存在着空间分辨率低（仅为毫米

级别）、检测速度慢、误差大等问题，这对于精确评估碳化硅半导体材料的晶格

质量构成一定的限制。而本项目提出的瞬态吸收法是通过在激发外延中的电子，

测试其电子对光实时的吸收变化，来拟合出载流子寿命。这种方法具有测试更加

准确、测试速度快、空间分辨率高等优点。而且可以测量微波光电导衰减法无法

测到的厚度在30um以下的半导体材料，目前碳化硅应用最多的就是在10um左

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右厚的外延，因此瞬态吸收法在碳化硅外延领域具有非常大的应用市场和潜力。

为了充分发挥这种方法的优势，并推动其在半导体行业中的广泛应用，制定相应

的测试方法标准和规范是非常必要的。

目前尚未有瞬态吸收法测试SiC外延的载流子寿命的国际、国家和行业标准，

制定本标准可以规范SiC外延的载流子寿命的检测方法，给生产和研究碳化硅材

料的企业及科研院所提供指导。

2、任务来源

根据《国家标准化管理委员会关于下达2025年第三批推荐性国家标准计划

及相关标准外文版计划的通知》（国标委发［2025］12号］）的要求，由广东

天域半导体股份有限公司牵头负责制定《碳化硅外延层载流子寿命的测试瞬态

吸收法》，计划编号T-469，项目周期为18个月。由全国半导体设

备和材料标准化技术委员会（SAC/TC203）与全国半导体设备和材料标准化技

术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）共同提出并归口。

3、标准主编单位简况

广东天域半导体股份有限公司，成立于2009年，是我国首家专业从事第三

代宽禁带半导体碳化硅外延晶片研发、设计、制造与销售的国家级高新技术企业，

产品可应用于新能源汽车、光伏储能等领域。经过十余年的技术积累，天域已发

展成为全球碳化硅外延片的主要供应商，在产品技术参数和客户器件良率等方面

已达国际领先水平，是我国碳化硅领域少数具备国际竞争力的企业之一。天域获

得了广东省科技进步二等奖、广东省电子信息科学技术一等奖、广东省科技创新

促进二等奖等多项荣誉；是国家专精特新重点“小巨人”企业、国家高新技术企

业；累计承担国家级重点领域研发项目3项、省级重点领域研发项目5项、市级

项目、横向合作项目4项；拥有核心专利70余项，并成为广东省知识产权示范

企业。

天域高度重视标准工作，由研发部门联合生产、质量等部门组成标准工作团

队，共同致力于推动标准工作。截至目前，天域已主导和参与起草国家标准21

项、行业标准3项、团体标准12项。

4、主要工作过程