CN101685821A 一种电荷捕捉浮动栅极结构存储单元及其制作方法 （旺宏电子股份有限公司）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200910134735.2

[51]Int.Cl.

HO1L27/115(2006.01)HO1L29/792(2006.01)

HO1L29/788(2006.01)

HO1L29/12(2006.01)

HO1L21/8247(2006.01)

[43]公开日2010年3月31日[11]公开号CN101685821A

[22]申请日2009.4.20

[21]申请号200910134735.2

[30]优先权

[32]2008.4.18[33]US[31]61/124,652

[32]2009.3.24[33]US[31]12/409,935

[71]申请人旺宏电子股份有限公司

地址台湾省新竹科学工业园区力行路16号[72]发明人吕函庭

[74]专利代理机构中科专利商标代理有限责任公司

代理人周国城

权利要求书4页说明书32页附图32页

[54]发明名称

一种电荷捕捉浮动栅极结构存储单元及其制作方法

[57]摘要

nn本发明公开了一种具有非对称的隧穿势垒结构的电荷捕捉浮动栅极结构存储单元及其制作方法。此存储单元包括一源极区域与一漏极区域并由一通道