CN101604705B 四周环绕栅极鳍栅晶体管及其制作方法 （上海新傲科技股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101604705B

(45)授权公告日2011.07.20

(21)申请号200910053502.X

(22)申请日2009.06.19

(73)专利权人上海新傲科技股份有限公司

地址201821上海市嘉定区普惠路200号

专利权人中国科学院上海微系统与信息技

术研究所

(72)发明人王曦魏星

(74)专利代理机构上海翼胜专利商标事务所(普通合伙)31218

代理人翟羽

(51)Int.CI.

HO1L29/78(2006.01)

HO1L29/06(2006.01)

HO1L29/423(2006.01)

HO1L21/336(2006.01)

审查员潘军权利要求书3页说明书12页附图26页

(54)发明名称

四周环绕栅极鳍栅晶体管及其制作方法

导体层表面具有第二品山

在第二半导体层、第二绝缘层以及第一半导体屋中形成贯穿上述三层的两个腐蚀窗口，所述两个窗口位于第一绝缘层预形成同陷处的上方

采用各自同性腾蚀的方法么除两个脑蚀商口之向的第一半导体层下方的第绝绿层以及两