CN101599308A 具有保护环结构的微型核电池及其制作方法 （西北工业大学）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局[51]Int.Cl.

G21H1/06(2006.01)

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200910023134.4

[43]公开日2009年12月9日[11]公开号CN101599308A

[22]申请日2009.6.30

[21]申请号200910023134.4

[71]申请人西北工业大学

地址710072陕西省西安市友谊西路127号[72]发明人乔大勇苑伟政臧博姚贤旺

吕湘连

[74]专利代理机构西北工业大学专利中心代理人夏维力

权利要求书2页说明书7页附图6页

[54]发明名称

具有保护环结构的微型核电池及其制作方法

[57]摘要

本发明公开了一种PN结或PIN结式的微型核电池及其制备方法，属于半导体、核物理和微能源领域。该电池在传统的PN结或PIN结式微型核电池的基础上，在p+型半导体层5的外围环形区域设计有一个保护环6;同时在保护环6上方有一个保护环接触电极8将电信号引出；此外，也公开了改核电池的制作方法。本发明公开的微型核电池，保护环的加入抑制了表面漏电、界面态电流对辐生电流的影响，间接提高了开路电压，同时增大了器件对低能量放射源的灵敏度，从而改善器件能量转换效率。

200910023134.4权利要求书第1/2页

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1.一种具有保护环结构的微型核电池，依次包括同位素(10)、上电极金属层(9)、p+型半导体层(5)、本征层(4)、n+型半导体层(3)、金属黏附层(2)、下电极金属层(1);本征层(4)下方依次为大小形状一致的n型半导体层(3)、金属黏附层(2)和下金属电极层(1),n型半导体层(3)的掺杂浓度在1×101?~1×1021cm?3,其特征在于：还包括保护环接触电极(8)、钝化层(7)、保护环(6);所述的本征层(4)的掺杂浓度5×101?~1×101?cm3,厚度为300μm～550μm;p+

型半导体层(5)位于本征层(4)上部，形状为圆形、方形等任意形状，掺杂浓度在1×101?~1×102cm?3,厚度大于0.1μm;保护环(6)位于本征i层(4)上部p+型半导体层(5)的外围环形区域，保护环(6)内环和p+型半导体层(5)外环间距为30μm~200μm;保护环接触电极(8)位于保护环(6)上方，且形状大小与保护环(6)相同；上电极金属层(9)为排布于p+型半导体层(5)上方的环形，且其外边框和p+型半导体层(5)的外边框一致；钝化层(7)覆盖本征层(4)上方除上电极金属(9)和保护环接触电极(8)之外的所有区域；

同位素(10)覆盖钝化层(7)上方上电极金属层(9)形成的圆环内部。

2.一种具有保护环结构的微型核电池，依次包括同位素(10)、上电极金属层(9)、p+型SiC层(5)、n+型SiC层(3)、金属黏附层(2)、下电极金属层(1);n+型SiC层(3)下方依次为形状大小一致的金属黏附层(2)和下电极金属层(1),其特征在于：还包括保护环接触电极(8)、钝化层(7)、保护环(6);所述的p+型半导体层(5)位于n+型SiC层(3)上部，形状任意，掺杂浓度在1×101?~1×102cm?3,厚度大于0.1μm;保护环(6)位于p+型SiC层(5)外围，形成一个将p+型SiC层(5)包含在内的环状，保护环(6)材料与p+型SiC层(5)一致；保护环接触电极(8)位于保护环(6)上方，形状大小同保护环(6);上电极金属层(9)为位于p+型SiC层(5)上方的环状，且其外框形状和p+型SiC层(5)外框形状大小一致，材料和保护环接触电极(8)相同；钝化层(7)覆盖在本征硅层(4)上方除上电极金属层(9)和保护环接触电极(8)之外所有区域；同位素(10)覆盖在钝化层(7)上方。

3.一种如权利要求1或2所述的具有保护环结构的微型核电池，其特征在于：钝化层(7)、p+半导体层(5)、本征层(4)以及金属黏附层(2)、下电极金属层(1)的形状均为方形；上电极金属层(9)、保护环接触电极(8)、保护环(6)形状为方形环状。

4.一种如权利要求1或2所述的具有保护环结构的微