CN101561295A 基于腐蚀高掺杂光纤的珐珀传感器制作方法 （电子科技大学）.docxVIP

[19]中华人民共和国国家知识产权局[51]Int.Cl.

G01D5/26(2006.01)

[12]发明专利申请公布说明书

[21]申请号200910059204.1

[43]公开日2009年10月21日[11]公开号CN101561295A

[22]申请日2009.5.7

[21]申请号200910059204.1

[71]申请人电子科技大学

地址610054四川省成都市建设北路二段四号

[72]发明人龚元饶云江郭宇

权利要求书1页说明书4页附图2页

[54]发明名称

基于腐蚀高掺杂光纤的珐珀传感器制作方法

[57]摘要

本发明公开了一种基于腐蚀高掺杂光纤的珐珀传感器制作方法，包括以下步骤：将高掺杂光纤端面浸入腐蚀液进行腐蚀，在端面形成微孔；将两根腐蚀后的光纤微孔相对进行熔接、或将一根腐蚀后的光纤微孔与单模光纤端面熔接，形成光纤珐珀传感器，采用氢氟酸和强无机酸的混合液作为腐蚀液，所用光纤为纤芯高掺杂光纤，高掺杂浓度进一步加大包层与纤芯的腐蚀速率差，腐蚀液中的强无机酸，使氢氟酸浓度降低，减小了腐蚀液对包层的腐蚀速率，在增加纤芯腐蚀深度的同时，减小包层的腐蚀量，使熔接后的珐珀传感器机械性能得到较大改善。

200910059204.1权利要求书第1/1页

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1、一种基于腐蚀高掺杂光纤的珐珀传感器制作方法，其特征在于，包含以下步骤：

①将高掺杂光纤端面侵入腐蚀液进行腐蚀，在其端面将纤芯部分腐蚀而形成微孔，所述腐蚀液为氢氟酸和强无机酸的混合液，所述高掺杂光纤的光纤纤芯掺杂，掺杂质包括稀土元素、锗和硼，掺杂浓度高于普通单模光纤的掺锗浓度，包层为纯石英；

②将经步骤①得到的高掺杂光纤清洗掉残余的腐蚀液，然后置于无尘环境中晾干或用吹风机吹干；

③将两根经过步骤②处理后得到高掺杂光纤的微孔相对进行熔接、或者将一根经过步骤②处理后得到的高掺杂光纤的微孔与一根单模光纤端面进行熔接，形成光纤珐珀传感器。

2、根据权利要求1所述的基于腐蚀高掺杂光纤的珐珀传感器制作方法，其特征在于，所述强无机酸能跟光纤纤芯的掺杂物质反应，生成可溶性物质，浓度大于1%。

3、根据权利要求2所述的基于腐蚀高掺杂光纤的珐珀传感器制作方法，包括盐酸、硝酸和硫酸。

4、根据权利要求1所述的基于腐蚀高掺杂光纤的珐珀传感器制作方法，其特征在于，所述氢氟酸浓度大于1%。

5、根据权利要求1所述的基于腐蚀高掺杂光纤的珐珀传感器制作方法，其特征在于，强无机酸和氢氟酸的体积比大于1:20.

200910059204.1说明书第1/4页

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基于腐蚀高掺杂光纤的珐珀传感器制作方法

技术领域

本发明涉及一种光纤传感器，具体涉及一种基于腐蚀高掺杂光纤的珐珀传感器制作方法。

背景技术

光纤珐珀传感器已经在工业、军事等诸多领域被广泛应用于应变、压力、温度、折射率等参数的传感，分为本征型和非本征型珐珀传感器。非本征型光纤珐珀传感器(EFPI)是指以光纤端面和空气界面为反射面构成珐珀腔，具有对某一物理或化学参数敏感的传感特性。传统的EFPI传感器主要通过在两段单模光纤之间熔接一段空心光纤、或空心毛细管、或空心光子晶体光纤、或直接利用空心套管将两段单模光纤对准并固定。这样形成的EFPI传感器成本低、制作方便，但腔长很难精确控制，不利于制作微型传感器。

申请号为200710078516.8,公开号为CN101055197A的中国发明专利“飞秒激光脉冲制作的微型光纤珐珀传感器及制作方法”和申请号为200710088067.5,公开号为CN101034007A的中国发明专利“光纤珐珀传感器及其制作方法”分别公开了利用飞秒激光和准分子激光在光纤上加工微珐珀腔，构成光纤珐珀传感器，用于应变、温度、压力等参数的检测。这一类传感器性能好、重复性高，适合于中高端产品，但加工系统造价高，不适合普及推广，而且加工过程需要掩膜板与光纤精确对准，调节精度要求很高，很难低成本、大批量制作。

Y.Zhu和A.Wang报道了用氢氟酸(HF)和氟化铵(NH?F)作为腐蚀液，通过腐蚀多模光纤和多次熔接的方式，制作了多珐珀腔结构的光纤压力传感器，详见IEEEPh