CN101718939A 一种光子晶体微腔结构及其制作方法 （北京大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN101718939A

(43)申请公布日2010.06.02

(21)申请号200910235973.2

(22)申请日2009.11.03

(71)申请人北京大学

地址100871北京市海淀区颐和园路5号北

京大学

(72)发明人富聿岚胡小永龚旗煌

(74)专利代理机构北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200

代理人邵可声

(51)Int.CI.

GO2F1/35(2006.01)

权利要求书1页说明书7页附图3页

(54)发明名称

一种光子晶体微腔结构及其制作方法

(57)摘要

x本发明公开了一种光子晶体微腔结构及其制作方法，属于光电子技术领域。本发明的光子晶体微腔结构，包括有机覆盖层、衬底和位于所述有机覆盖层与所述衬底之间的半导体光子晶体微腔；所述有机覆盖层为非线性有机共轭聚合物；本发明的方法为：1)在衬底上生长一层半导体薄膜；

x

CN101718939A2)在半导体薄膜上刻蚀光子晶体微腔结构；3)在光子晶体微腔结构上制备一层有机覆盖层；所述有机覆盖层为非线性有机共轭聚合物。与现有技术相比，本发明的光子晶体微腔制备的光开关具有高Q

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