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电力电子技术及应用考试模拟题含答案

一、单项选择题（每题2分，共30分）

1.下列电力电子器件中，属于全控型器件的是（）。

A.普通晶闸管（SCR）B.电力二极管（PowerDiode）C.绝缘栅双极晶体管（IGBT）D.门极可关断晶闸管（GTO）

2.晶闸管导通的必要条件是（）。

A.阳极加正向电压，门极加反向电压B.阳极加反向电压，门极加正向电压

C.阳极加正向电压，门极加正向触发脉冲D.阳极加反向电压，门极加反向触发脉冲

3.在单相桥式全控整流电路中，当负载为阻感负载且电感足够大时，晶闸管的导通角为（）。

A.π-αB.π+αC.2π-αD.α

4.下列DC-DC变换器中，属于升压型变换器的是（）。

A.Buck变换器B.Boost变换器C.Buck-Boost变换器D.Cuk变换器

5.三相桥式全控整流电路带电阻负载时，触发角α的移相范围是（）。

A.0°~90°B.0°~120°C.0°~150°D.0°~180°

6.软开关技术的核心目的是（）。

A.提高开关频率B.降低开关损耗C.增大输出功率D.简化控制电路

7.脉冲宽度调制（PWM）控制中，当载波比N为常数时，称为（）。

A.异步调制B.同步调制C.分段同步调制D.单极性调制

8.电压型逆变电路的直流侧通常接（）。

A.大电感B.大电容C.电阻D.变压器

9.在晶闸管串联使用时，为了均压，需要并联（）。

A.电阻B.电感C.电容D.二极管

10.下列器件中，驱动功率最小的是（）。

A.GTRB.MOSFETC.IGBTD.GTO

11.单相半波可控整流电路带电阻负载时，输出电压平均值Ud的表达式为（）。

A.0.45U2(1+cosα)/2B.0.9U2cosαC.0.45U2cosαD.1.17U2cosα

12.在Boost变换器中，当开关管导通时，电感的能量来源于（）。

A.负载B.电容C.输入电源D.自身储能

13.三相桥式全控整流电路带阻感负载且电感足够大时，输出电压平均值Ud的表达式为（）。

A.2.34U2cosαB.1.17U2cosαC.0.9U2cosαD.0.45U2cosα

14.晶闸管的关断条件是（）。

A.阳极电流小于维持电流B.门极加反向电压C.阳极加反向电压D.阳极电流大于擎住电流

15.在PWM逆变电路中，三角波载波与正弦波调制波比较生成PWM脉冲的方法称为（）。

A.单极性调制B.双极性调制C.正弦波脉宽调制（SPWM）D.空间矢量脉宽调制（SVPWM）

二、填空题（每空1分，共20分）

1.电力电子器件的分类中，根据控制特性可分为不可控器件、半控型器件和__________。

2.晶闸管的三个电极分别是阳极（A）、阴极（K）和__________（G）。

3.单相桥式全控整流电路带电阻负载时，输出电压平均值Ud=__________（U2为输入交流电压有效值，α为触发角）。

4.软开关电路可分为零电压开关（ZVS）和__________（ZCS）两大类。

5.DC-DC变换器中，Buck变换器的电压增益M=__________（D为占空比）。

6.三相桥式全控整流电路带阻感负载且电感足够大时，晶闸管的导通角为__________。

7.IGBT的输入特性类似于__________（填写器件名称），输出特性类似于GTR。

8.电压型逆变电路的直流侧电容起__________作用，电流型逆变电路的直流侧电感起__________作用。

9.晶闸管的维持电流IH是指维持其导通所需的__________电流。

10.PWM控制技术中，载波比N=__________（fc为载波频率，fr为调制波频率）。

11.在Boost变换器中，输出电压Uo与输入电压Ui的关系为Uo=__________（D为占空比）。

12.单相全波整流电路与单相桥式整流电路相比，变压器二次侧需要__________绕组。

13.电力电子装置的主要损耗包括__________损耗和开关损耗。

14.晶闸管串联时，为了实现动态均压，需要并联__________。

15.逆变电路中，将直流电能转换为交流电能的过