CN101916825B 一种聚合物基的纳米晶存储器电容及其制作方法 （复旦大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(10)授权公告号CN101916825B

(45)授权公告日2012.08.01

(21)申请号201010242586.4

(22)申请日2010.08.02

(73)专利权人复旦大学

5182-5201.

审查员谢朝方

地址200433上海市杨浦区邯郸路220号

(72)发明人黄玥丁士进

(74)专利代理机构上海正旦专利代理有限公司

31200

代理人陆飞盛志范

(51)Int.CI.

HO1L51/05(2006.01)

HO1L51/30(2006.01)

HO1L51/40(2006.01)

(56)对比文件

CN101692463A,2010.04.07.全文.

Qi-DanLing,etal..Polymermemories:

Bisatbleelectricalswitchinganddevice

performance.《Polymer》.2007,第48卷权利要求书1页说明书3页附图3页

(54)发明名称

一种聚合物基的纳米晶存储器电容及其制作方法

(57)摘要

CN101916825B本发明属于半导体存储器的制造技术领域，具体为一种聚合物基的纳米晶存储器电容及其制作方法。本发明以酞菁铜聚合物薄膜中嵌入锑纳米晶作为非挥发存储器中的电荷存储部分，具体包括半导体硅衬底、硅衬底上的无机介质层、第一层酞菁铜聚合物薄膜、锑纳米晶、第二层酞菁铜聚合物薄膜、金属电极。其中，无机介质层和第一层酞菁铜聚合物薄膜作为电荷隧穿层，锑纳米晶作

CN101916825B

CN101916825B权利要求书1/1页

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1.一种聚合物基的纳米晶存储器电容，其特征在于依次为：半导体硅衬底、硅衬底上的无机介质层、第一层酞菁铜聚合物薄膜、锑纳米晶、第二层酞菁铜聚合物薄膜、金属电极；其中，无机介质层和第一层酞菁铜聚合物薄膜作为电荷隧穿层，锑纳米晶作为电荷存储中心，第二层聚合物薄膜作为电荷阻挡层。

2.根据权利要求1所述的聚合物基的纳米晶存储器电容，其特征在于所述的第一层酞菁铜聚合物薄膜和锑纳米晶作为整体重复多次形成重复多层结构。

3.根据权利要求1或2所述的聚合物基的纳米晶存储器电容，其特征在于所述的无机介质层材料为SiO?、SiON或Al?O?。

4.如权利要求1所述的聚合物基的纳米晶存储器电容的制备方法，其特征在于包括下述步骤：

(1)以p型(100)单晶硅片为衬底，生长一无机介质层，厚度为3-5纳米；

(2)将生长有无机介质层的单晶硅片放入热蒸发腔内，腔内基压为1×10??-3×10??毫巴，通过热蒸发，沉积厚度为5-10纳米的第一层酞菁铜聚合物薄膜；紧接着，热蒸发沉积厚度为1-3纳米的金属锑，锑纳米晶自组装形成；

(3)通过热蒸发，沉积厚度为10-30纳米的第二层酞菁铜聚合物薄膜，作为电荷阻挡层；

(4)通过热蒸发，沉积一层金属铝，作为电极。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于步骤(2)中，热蒸发沉积第一层酞菁铜聚合物薄膜和热蒸发沉积金属锑，重复多次。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于所述的无机介质层材料为SiO?、SiON或Al?O?。

CN101916825B说明书1/3页

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一种聚合物基的纳米晶存储器电容及其制作方法

技术领域

[0001]本发明属于半导体存储器制造技术领域，具体涉及一种有机聚合物材料和无机材料构成的存储器电容。

技术背景

[0002]随着存储器在通信、消费领域、计算机领域的普遍应用，以多晶硅作为浮栅的快速闪存(Flash)已成为占据一定市场份额的存储器芯片产品。但是半导体工业的进一步按比例缩小对纳米级厚度的隧穿氧化层的质量提出了极大的挑战。采用纳米晶作为电荷存储单元可以解决传统多晶硅浮栅存储器在尺寸进一步缩小情况下遇到的隧穿氧化层减薄和数据保持能力退化的两难处境[1]。纳米晶存储器的优点在于电荷存储在分立的纳米晶中，同时纳米晶之间被绝缘介质隔离。因而，隧穿氧化层中单一的电荷泄漏通道只能导致某一