CN106784276B 一种金刚石热沉GaN基异侧电极LED制作方法 （陕西科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利

(45)授权

(10)授权公告号CN106784276B公告日2019.04.12

(21)申请号201611081848.7

(22)申请日2016.11.30

(65)同一申请的已公布的文献号申请公布号CN106784276A

(43)申请公布日2017.05.31

(73)专利权人陕西科技大学

地址710021陕西省西安市未央区大学园1

号

(72)发明人王进军

(74)专利代理机构西安通大专利代理有限责任公司61200

代理人徐文权

(51)Int.CI.

H01L33/64(2010.01)

H01L33/00(2010.01)

审查员孙大伟

权利要求书2页说明书4页附图5页

(54)发明名称

一种金刚石热沉GaN基异侧电极LED制作方法

(57)摘要

CN106784276B本发明公开了一种金刚石热沉GaN基异侧电极LED制作方法，先在蓝宝石衬底上MOCVD生长GaN基LED外延材料；再ICP刻蚀蓝宝石衬底GaN基LED外延材料，进行器件隔离；再对蓝宝石衬底GaN基LED外延材料表面磁控溅射p型接触金属、反射金属和键合金属；再对金刚石热沉衬底表面磁控溅射键合金属；再将蓝宝石衬底GaN基LED外延材料和金刚石热沉衬底进行金属键合；再采用激光剥离技术对蓝宝石衬底进行剥离；最后磁控溅射n型接触金属。本发明采用高热导率的金刚石做热沉，LED阳极金属与金刚石金属键合接触，散热优势明显；所述LED阳极金属与金刚石低温下金属键合，有效避免了传统的高温键合对LED

CN106784276B

5

p-GaN

多量子阱

n-GaN

缓冲层

蓝宝石衬底

CN106784276B权利要求书1/2页

2

1.一种金刚石热沉GaN基异侧电极LED制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1:在蓝宝石衬底上MOCVD生长GaN基LED外延材料；

S11:分别用丙酮和去离子水各超声2～3分钟对所述蓝宝石衬底进行清洗；

S12:将所述蓝宝石衬底在900～1000℃的H?气氛下进行烘烤；

S13:以三甲基镓和氨气分别作为Ga源和N源，N?和H?作为载气，在530～580℃下采用MOCVD技术在蓝宝石衬底上低温生长50nm的GaN成核层；

S14:以SiH?为n型掺杂剂，三甲基镓TMGa和氨气NH?为Ga源和N源MOCVD生长n-GaN层，掺杂浓度2×101?~1×101cm?3;

S15:以三甲基镓TMGa,三甲基铟TMIn和氨气NH?分别作为Ga源、In源和N源，N?和H?作为载气MOCVD交替生长GaN/InGaN多量子阱；

S16:以CP?Mg为p型掺杂剂，三甲基镓TMGa和氨气NH?为Ga源和N源MOCVD生长p-GaN层，掺杂浓度5×101?~2×101?cm?3,850℃退火；

S17:最后PECVD淀积SiO?,厚度1.5μm;

S2:ICP刻蚀步骤S1所述蓝宝石衬底GaN基LED外延材料，进行器件隔离；

S21:SiO?光刻、刻蚀，形成隔离刻蚀掩膜图样，单元大小为1mm×1mm;

S22:隔离槽ICP干法刻蚀，刻蚀气体采用He:Cl?:BCl?=10:45:15sccm的混合气体；

S23:PECVD淀积SiO?侧墙；

S3:对步骤S2所述蓝宝石衬底GaN基LED外延材料表面磁控溅射p型接触金属、反射金属和键合金属；

分别用三氯化碳、四氯乙烯、丙酮、乙醇、去离子水超声清洗所述蓝宝石衬底GaN基LED外延材料各2～3分钟，氮气吹干，再在p-GaN表面依次磁控溅射Ni/Au/Al/Ag,厚度依次为50nm/120nm/0.3μm/1μm,850～900℃退火15min;

S4:对金刚石热沉衬底表面磁控溅射键合金属；

先对所述金刚石热沉衬底表面进行抛光、平整化处理；

再用丙酮、乙醇、去离子水超声清洗所述金刚石，抛光面磁控溅射Au键合金属，厚度2μm;

S5:将步骤S3所述蓝宝石衬底GaN基LED外延材料和步骤S4所述金刚石热沉衬底进行金属键合；

键合时间30min,键合温度250～300℃,施加压力300N,键合所述金刚石热沉衬底与所述宝石衬底GaN基LED外延材料；

S6:采用激光剥离技术对步骤S5所述蓝宝石衬底进行剥离；

S7:对步骤S6所述蓝宝石衬底进行磁控溅射n型接触金属；

S71:用