CN106783902A 图像传感器结构及其制作方法 （上海集成电路研发中心有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN106783902A

(43)申请公布日2017.05.31

(21)申请号201611157013.5

(22)申请日2016.12.15

(71)申请人上海集成电路研发中心有限公司地址201210上海市浦东新区上海张江高

科技园区高斯路497号

(72)发明人胡少坚耿阳陈寿面

(74)专利代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237

代理人王仙子

(51)Int.CI.

HO1L27/146(2006.01)

权利要求书2页说明书5页附图4页

(54)发明名称

图像传感器结构及其制作方法

(57)摘要

CN106783902A本发明提供一种图像传感器结构及其制作方法，所述图像传感器结构包括衬底、背栅、栅氧介质层和量子点层，所述衬底上设置有接触电极，所述背栅设置在所述衬底上，所述栅氧介质层覆盖在所述背栅上，所述量子点层设置在所述栅氧介质层上，所述量子点层与所述接触电极连接。在本发明提供的图像传感器结构及其制作方法中，所述图像传感器结构采用背栅来对量子点层的载流子迁移率进行控制，背栅上覆盖有栅氧介质层，通过在背栅上加不同的电压，来影响量子点层由光产生的载流子的迁移率，从而影响光敏电流的大小，进而可以调控光电效应的灵敏

CN106783902A

CN106783902A权利要求书1/2页

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1.一种图像传感器结构，其特征在于，所述图像传感器结构包括：

衬底，所述衬底上设置有接触电极；

背栅，所述背栅设置在所述衬底上；

栅氧介质层，所述栅氧介质层覆盖在所述背栅上；

量子点层，所述量子点层设置在所述栅氧介质层上，所述量子点层与所述接触电极连接。

2.根据权利要求1所述的图像传感器结构，其特征在于，所述图像传感器结构还包括信号器件，所述信号器件设置在所述衬底中，所述信号器件连接所述接触电极或所述背栅，所述信号器件包含晶体管和/或电容。

3.根据权利要求1所述的图像传感器结构，其特征在于，所述接触电极的材料包括功函数大于4.8eV的高功函数材料和功函数小于4.4eV的低功函数材料，所述高功函数材料包括金、钨、铜、氧化铟锡、氟化氧化锡或氮化钛中一种及其组合，所述低功函数材料包括铝、镁或氮化钽中一种及其组合。

4.根据权利要求1所述的图像传感器结构，其特征在于，所述背栅的材料为氮化钛、金、铝或氮化钽中一种及其组合，所述栅氧介质层的材料为二氧化硅、氧化铝、氮化硅、氧化锆或氧化铪中一种及其组合。

5.根据权利要求1所述的图像传感器结构，其特征在于，所述接触电极的厚度为50nm~500nm,所述背栅的厚度为100nm～500nm,所述栅氧介质层的厚度为50nm～200nm,所述量子点层的厚度为100nm～500nm。

6.根据权利要求1至5中任意一项所述的图像传感器结构，其特征在于，所述量子点层上还设有保护层，所述保护层的材料为二氧化硅或氮化硅，所述保护层的厚度为100nm~500nm。

7.一种图像传感器结构的制作方法，其特征在于，所述图像传感器结构的制作方法包括：

提供衬底，在所述衬底中形成信号器件以及与所述信号器件连接的若干导线；

在所述衬底上形成接触电极，所述接触电极连接导线以连接所述信号器件；

在所述衬底上形成背栅层，所述背栅连接导线以连接所述信号器件；

在所述衬底上形成栅氧介质层，光刻所述栅氧介质层形成通孔；

在所述栅氧介质层上形成量子点层，所述量子点层通过所述通孔连接所述接触电极。

8.根据权利要求7所述的图像传感器结构的制作方法，其特征在于，在形成量子点层之后还包括：在所述量子点层上形成保护层。

9.根据权利要求7所述的图像传感器结构的制作方法，其特征在于，所述接触电极形成方法包括：

在衬底上形成接触电极层，在接触电极层上涂覆光刻胶，并形成图案，通过该图案刻蚀接触电极层；或者，

在衬底上沉积光刻胶，并形成图案，通过该图案沉积接触电极，

所述背栅形成方法包括：

在衬底上形成背栅层，在背栅层上涂覆光刻胶，并形成图案，通过该图案刻蚀背栅层；或者，

CN106783902A权利要求书2/2页

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在衬底上沉积光刻胶，并形成图案，通过该图案沉积背栅。

10.根据权利要求7所述的图像传感器结构的制作方法，其