CN106783619A 一种GaAs基PMOS器件制作方法 （东莞市广信知识产权服务有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN106783619A

(43)申请公布日2017.05.31

(21)申请号201611079685.9

(22)申请日2016.11.29

(71)申请人东莞市广信知识产权服务有限公司地址523000广东省东莞市松山湖高新技

术产业开发区新竹路4号新竹苑13栋6楼607室

申请人东莞华南设计创新院

(72)发明人刘丽蓉王勇丁超

(74)专利代理机构广东莞信律师事务所44332代理人曾秋梅

(51)Int.CI.

HO1LHO1L

HO1LHO1L

21/336(2006.01)

29/78(2006.01)

29/20(2006.01)

29/06(2006.01)

权利要求书1页

说明书3页附图3页

(54)发明名称

一种GaAs基PMOS器件制作方法

开始在碑化镓沟道层上生磷化镓层

开始

在碑化镓沟道层上生磷化镓层

在磷化像图总积三化二鲁介缝

在氧化静分上制作金属电拨

以榜电极和完刻胶为拖膜在源澜区进行子注入，并进离子入激

在源凝区制作源凝电极

结束

CN106783619A本发明公开了一种砷化镓PMOS器件的制作方法。其制作步骤依次是：在半绝缘砷化镓衬底(