CN106783617A 一种硅基锗沟道mos器件的制作方法 （东莞市广信知识产权服务有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN106783617A

(43)申请公布日2017.05.31

(21)申请号201611076208.7

(22)申请日2016.11.29

(71)申请人东莞市广信知识产权服务有限公司地址523000广东省东莞市松山湖高新技

术产业开发区新竹路4号新竹苑13栋6

楼607室

申请人东莞华南设计创新院

(72)发明人刘丽蓉王勇丁超

(74)专利代理机构广东莞信律师事务所44332代理人曾秋梅

(51)Int.CI.

HO1L21/336(2006.01)

权利要求书1页说明书2页附图3页

(54)发明名称

一种硅基锗沟道MOS器件的制作方法

(57)摘要

CN106783617A本发明公开了一种硅基锗沟道MOS器件的制作方法，其步骤如下：在硅基半导体上形成50纳米宽的槽状结构；在硅槽中制作SiNx侧墙结构；在硅槽中制作SiO?侧墙结构；在硅槽中采用超高真空化学汽相沉积的方法生长硅锗缓冲层；在硅

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1.一种硅基锗沟道MOS器件的制作方法：其步骤如下：

(1)准备一硅基半导体作为基片(101);

(2)在硅基半导体基片上以光刻胶为掩膜制作以100纳米宽的槽状结构；

(3)在该硅槽中制作20-25纳米厚度的SiNx侧墙(102);

(4)在该硅槽的SiNx侧墙上制作20-25纳米厚度的SiO?侧墙(103);

(5)在该硅槽中采用超高真空化学汽相沉积的方法生长100-150纳米厚度的硅锗缓冲层(104);

(6)在硅锗缓冲层上生长高质量的50纳米厚度的锗沟道层(105);

(7)在锗沟道层上制作2纳米氧化铝栅介质层(106);

(8)在栅介质层上制作300纳米铝栅金属层(107)。

2.根据权利要求1所述的一种硅基锗沟道MOS器件的制作方法，其特征在于步骤(2)中硅槽的深度为300纳米。

3.根据权利要求1所述的一种硅基锗沟道MOS器件的制作方法，其特征在于步骤(3)中SiNx侧墙的厚度为20纳米。

4.根据权利要求1所述的一种硅基锗沟道MOS器件的制作方法，其特征在于步骤(4)中SiO?侧墙的厚度为20纳米。

5.根据权利要求1所述的一种硅基锗沟道MOS器件的制作方法，其特征在于步骤(5)中生长的硅锗缓冲层的厚度为150纳米。

6.根据权利要求1所述的一种硅基锗沟道MOS器件的制作方法，其特征在于步骤(6)中锗沟道层的厚度为50纳米。

CN106783617A说明书1/2页

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一种硅基锗沟道MOS器件的制作方法

技术领域

[0001]本发明属于集成电路工艺制造技术领域，具体涉及一种硅基锗沟道MOS器件的制作方法。

背景技术

[0002]随着硅基CMOS技术的不断进步，通过缩小特征尺寸MOS器件的特性得以不断提升。但是在7纳米技术节点以后，硅基半导体面临诸多挑战：迁移率退化、源漏穿通漏电、热载流子效应等等。其中迁移率退化是影响集成电路速度提升的主要难点。为此，新型的沟道材料和器件结构被认为是推进硅基MOS器件继续提升性能的关键。锗材料的电子迁移率和空穴迁移率都优于硅，与硅基半导体工艺兼容性好，从而被广泛关注。但是，新型沟道材料与器件结构只有集成到硅基半导体上，才能实现其最大的优势，实现硅基鳍状结构锗沟道MOSFET器件成为一种重要的研究方向和工业应用方向。但是硅基锗MOS器件的集成技术并不成熟，结构仍需不断优化。

发明内容

[0003]本发明的目的在于提供一种硅基锗沟道MOS器件从而实现锗MOS器件的硅基集成，主要采用侧墙工艺将硅基半导体上的槽的宽度缩小至30纳米以下，在高深宽比的硅槽内，采用超高真空化学汽相沉积的方法沉积硅锗半导体和高质量锗材料层，并制备栅介质和栅金属，实现锗沟道MOS器件。

[0004]技术方案

[0005]本发明提出的硅基锗沟道MOS器件的制作方法，其具体步骤如下：

[0006](1)准