CN106952823A 金属氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法 （中华映管股份有限公司）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN106952823A

(43)申请公布日2017.07.14

(21)申请号201610009186.6

(22)申请日2016.01.07

(71)申请人中华映管股份有限公司地址中国台湾桃园市

(72)发明人张锡明黄彦余

(74)专利代理机构北京汇泽知识产权代理有限公司11228

代理人毛广杰

(51)Int.CI.

HO1L21/336(2006.01)

HO1L21/28(2006.01)

HO1L21/3213(2006.01)

HO1L29/786(2006.01)

HO1L29/417(2006.01)

权利要求书1页说明书6页附图17页

(54)发明名称

金属氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法

CN106952823A本发明提供一种金属氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法，包括：于基板上形成闸极、闸极绝缘层、图案化金属氧化物半导体层以及导电层。于导电层上形成第一图案化光阻层与第二图案化光阻层。进行第一蚀刻制程，随后移除第一图案化光阻层。接着进行第二