CN106784276A 一种金刚石热沉GaN基异侧电极LED制作方法 （陕西科技大学）.docxVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN106784276A

(43)申请公布日2017.05.31

(21)申请号201611081848.7

(22)申请日2016.11.30

(71)申请人陕西科技大学

地址710021陕西省西安市未央区大学园1

号

(72)发明人王进军

(74)专利代理机构西安通大专利代理有限责任公司61200

代理人徐文权

(51)Int.CI.

HO1L33/64(2010.01)

HO1L33/00(2010.01)

权利要求书2页说明书4页附图5页

(54)发明名称

一种金刚石热沉GaN基异侧电极LED制作方法

(57)摘要

CN106784276A本发明公开了一种金刚石热沉GaN基异侧电极LED制作方法，先在蓝宝石衬底上MOCVD生长GaN基LED外延材料；再ICP刻蚀蓝宝石衬底GaN基LED外延材料，进行器件隔离；再对蓝宝石衬底GaN基LED外延材料表面磁控溅射p型接触金属、反射金属和键合金属；再对金刚石热沉衬底表面磁控溅射键合金属；再将蓝宝石衬底GaN基LED外延材料和金刚石热沉衬底进行金属键合；再采用激光剥离技术对蓝宝石衬底进行剥离；最后磁控溅射n型接触金属。本发明采用高热导率的金刚石做热沉，LED阳极金属与金刚石金属键合接触，散热优势明显；所述LED阳极金属与金刚石低温下金属键合，有效避免了传统的高温键合对LED

CN106784276A

p-GaN

多量子阱数-CaN

缓冲展

蓝宝石衬底

4

3

2

1

CN106784276A权利要求书1/2页

2

1.一种金刚石热沉GaN基异侧电极LED制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1:在蓝宝石衬底上MOCVD生长GaN基LED外延材料；

S2:ICP刻蚀步骤S1所述蓝宝石衬底GaN基LED外延材料，进行器件隔离；

S3:对步骤S2所述蓝宝石衬底GaN基LED外延材料表面磁控溅射p型接触金属、反射金属和键合金属；

S4:对金刚石热沉衬底表面磁控溅射键合金属；

S5:将步骤S3所述蓝宝石衬底GaN基LED外延材料和步骤S4所述金刚石热沉衬底进行金属键合；

S6:采用激光剥离技术对步骤S5所述蓝宝石衬底进行剥离；

S7:对步骤S6所述蓝宝石衬底进行磁控溅射n型接触金属。

2.根据权利要求1所述的一种金刚石热沉GaN基异侧电极LED制作方法，其特征在于，所述步骤S1具体包括以下步骤：

S11:分别用丙酮和去离子水各超声2～3分钟对所述蓝宝石衬底进行清洗；

S12:将所述蓝宝石衬底在900～1000℃的H?气氛下进行烘烤；

S13:以三甲基镓和氨气分别作为Ga源和N源，N?和H?作为载气，在530～580℃下采用MOCVD技术在蓝宝石衬底上低温生长50nm的GaN成核层；

S14:以SiH4为n型掺杂剂，三甲基镓TMGa和氨气NH?为Ga源和N源MOCVD生长n-GaN层，掺杂浓度2×101?~1×101?cm?3;

S15:以三甲基镓TMGa,三甲基铟TMIn和氨气NH?分别作为Ga源、In源和N源，N?和H?作为载气MOCVD交替生长GaN/InGaN多量子阱；

S16:以CP?Mg为p型掺杂剂，三甲基镓TMGa和氨气NH?为Ga源和N源MOCVD生长p-GaN层，掺杂浓度5×101?~2×101?cm?3,850℃退火；

S17:最后PECVD淀积SiO?,厚度1.5μm。

3.根据权利要求2所述的一种金刚石热沉GaN基异侧电极LED制作方法，其特征在于，所述外延材料制备完成后，进行隔离槽刻蚀，包括以下步骤：

S21:SiO?光刻、刻蚀，形成隔离刻蚀掩膜图样，单元大小为1mm×1mm;

S22:隔离槽ICP干法刻蚀，刻蚀气体采用He:Cl?:BCl?=10:45:15sccm的混合气体；

S23:PECVD淀积SiO?侧墙。

4.根据权利要求1所述的一种金刚石热沉GaN基异侧电极LED制作方法，其特征在于，所述步骤S3具体为：刻蚀、抛光所述蓝宝石衬底GaN基LED外延材料p-GaN表面；

分别用三氯化碳、四氯乙烯、丙酮、乙醇、去离子水超声清洗所述蓝宝石衬底GaN基LED外延材料各2～3分钟，氮气吹干，再在p